MRAM如何实现对车载MCU中嵌入式存储器

2022-2-11 07:23:03 1056 MRAM

0 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需的擦除操作，而且写人时间也比闪存少几个数量级。即使是与现有存储器中性能较高的DRAM(读取1写入时间为30ns~ 0 MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代.pdf 172.92 KB , 下载次数: 3
举报淘帖0 只看该作者最近下载过的用户(3) 相关推荐 • MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代 1507 • MCU的嵌入式系统设计，如何运行SDRAM？ 1205 • 嵌入式系统使用的存储器是如何进行划分的 2275 • 磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？ 2048 • EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术解析 2121 • 新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场分析 1359 • MRAM与现行各类存储器对比分析 4358 • 嵌入式存储器的设计方法是什么？ 2281 • 如何实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计？ 1349 • 嵌入式芯片的存储器映射 2246