磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？

2009 MRAM 存储器磁阻

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2021-6-8 06:33:01　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报冯超相关推荐 • 新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场分析 1340 • STT-MRAM万能存储器芯片解析 1662 • 非易失性MRAM基础知识汇总 1433 • 非易失性MRAM的基础知识汇总 1520 • 从MRAM到磁性逻辑单元 1306 • MRAM的存储原理解析 1590 • EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术解析 2099 • 嵌入式STT MRAM磁隧道结阵列的进展 1709 • 为什么MRAM适合航空航天应用？ 2259 • Xilinx FPGA控制器Everspin STT-DDR4的设计指南 1133 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结（MTJ ），而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了，而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时，磁性隧道结的电阻最低，其状态为“0”;反之，则磁性隧道结的电阻最高，其状态为“1” 　　最常用的MRAM单元的结构是由一个NMOS晶体管和一个MTJ（作为记忆元件）组成。MTJ与NMOS顺序连接。NMOS晶体管由字线信号控制，读取数据时，NMOS开启，位线和源线间加一小的电压差，使电流流过MTJ ，其大小由MTJ的状态决定。读出放大器将该电流与参考电流比较，判断MRAM单元里存储的数据是“O”还是“1”。写入数据时，若写入“O”，则在位线和源线之间加一个较大的正电压;若写入“1”，则加负电压。使MTJ翻转的最小电流称为阈值电流，与隧道势垒层材料、写入持续时间和MTJ的几何结构等因素有关。传统高速缓存结构，由H-tree连接起来，其行列数目和尺寸可以使用CACTI工具来进行优化。

2021-6-8 09:45:03 评论举报王子云