MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代

2023-4-7 16:41:05 1510 DRAM 存储器 MCU芯片

0 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需的擦除操作，而且写人时间也比闪存少几个数量级。即使是与现有存储器中性能较高的DRAM(读取1写入时间为30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦写次数超过1015次,和DRAM及SRAM相当,大大超出了闪存的105次。在功能及性能方面均超过现有存储器的自旋注入MRAM,很有可能将会取代在设备中使用的多种存储器(见图1)。如果关键技术的研发工作进展顺利，自旋注入MRAM今后的普及应用将大致分为两个阶段。第一阶段,它将取代车载MCU中应用的嵌入式存储器，其后在第二阶段,它将取代手机中的MCP以及独立DRAM和独立NOR闪存等。图1 65nm产品会取代嵌入式存储器，45nm产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到MCU中，就可以取代上述的SRAM及闪存。 MCU的用户也对采用自旋注入MRAM表现出积极的态度。目前车载MCU中集成的闪存的可擦写次数太少。希望能够采用读/写性能优于闪存的存储器件。听说MRAM比闪存的可擦写次数多，并且性能有所提高。如果这两种存储器的成本一样，肯定会选择MRAM。当采用65nm工艺的自旋注入MRAM量产时,将有可能实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代。原作者：宇芯电子 2
2023-4-7 16:41:05　　评论淘帖0 举报相关推荐 • MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代 8 • MRAM可实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代 522 • MRAM如何实现对车载MCU中嵌入式存储器 1061 • 嵌入式MCU存储器ECC工作原理 5 • 存储器在嵌入式系统中的应用 333 • FPGA中嵌入式存储器模块的设计 24 • FPGA中嵌入式块存储器的设计 6 • 如何采用LINUX实现嵌入式网络存储器的设计 1163 • 如何实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计？ 1350 • 嵌入式高速固态存储器的组成原理与设计实现 1710