STT-MRAM的相关资料下载

2021-12-10 07:06:51 1174 物联网嵌入式单片机

0 MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。目前，STT-MRAM已经从几家代工厂（GlobalFoundries、英特尔、三星、台积电和联电）中脱颖而出，成为一种非常有吸引力的IP选择。S 0 嵌入式存储的下一步：STT-MRAM.pdf 332.85 KB , 下载次数: 18
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