请教EEPROM编程的任何操作都应遵循哪些步骤呢

简单生成代码后找到MDK的驱动文件
官方建议步骤
                  #####数据EEPROM编程功能#####

======================== ================================================== =====
[..] 或石墨编程的任何操作都应遵循步骤：
（＃）调用@ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock（）可以启用数据EEPROM访问
     和闪存程序控制权限访问。
（＃）调用所需的功能来擦除或编程数据。
（＃）调用@ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock（）来禁用数据EEPROM访问
     状语从句：闪存程序擦除控制寄存器访问（推荐
     保护DATA_EEPROM免受可能的意外操作）。

实验总结，只需要三解锁步
写入数据（擦除也是写入数据只不过写的是0×00）
上锁（建议上锁，其实没啥用，不用问题不是很大）

void Program_EEPROM(void)
{
    uint32_t data = 0x12345678;
  
    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();


    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program( FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD,  0x08080000,  data);
    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program( FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD,  0x08080000 + 4,  data);
   
    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(FLASH_TYPEERASEDATA_WORD, 0x08080000);
   
    HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();
}


FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD 是数据类型，可以是Program word (32-bit) at a specified address OR Program word (16-bit) at a specified address OR Program word (8-bit) at a specified address
0x08080000 是地址，在官方手册中，可以查到。
数据写入的英文的数据
实际运行效果
擦除也是写入

/**
  * @brief  Erase a word in data memory.
  * @param  Address specifies the address to be erased.
  * @param  TypeErase  Indicate the way to erase at a specified address.
  *         This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Program
  * @note   To correctly run this function, the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock() function
  *         must be called before.
  *         Call the @ref HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock() to the data EEPROM access
  *         and Flash program erase control register access(recommended to protect
  *         the DATA_EEPROM against possible unwanted operation).
  * @retval HAL_StatusTypeDef HAL Status
  */
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t TypeErase, uint32_t Address)
{
  HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
  
  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_TYPEPROGRAMDATA(TypeErase));
  assert_param(IS_FLASH_DATA_ADDRESS(Address));
  
  /* Wait for last operation to be completed */
  status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
  
  if(status == HAL_OK)
  {
    /* Clean the error context */
    pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;


    if(TypeErase == FLASH_TYPEERASEDATA_WORD)
    {
      /* Write 00000000h to valid address in the data memory */
      *(__IO uint32_t *) Address = 0x00000000U;
    }


    if(TypeErase == FLASH_TYPEERASEDATA_HALFWORD)
    {
      /* Write 0000h to valid address in the data memory */
      *(__IO uint16_t *) Address = (uint16_t)0x0000;
    }


    if(TypeErase == FLASH_TYPEERASEDATA_BYTE)
    {
      /* Write 00h to valid address in the data memory */
      *(__IO uint8_t *) Address = (uint8_t)0x00;
    }


    status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
  }
   
  /* Return the erase status */
  return status;
}  
不懂的可以搜索指针强制类型转换学习一下。
数据读取
读取数据参照上面擦写部分，只需要反过来就好了。
data_8bit = *（__ IO uint8_t *）地址;
data_16bit = *（__ IO uint16_t *）地址;
data_32bit = *（__ IO uint32_t的*）的地址;

我有几个问题很疑惑是否
会影响这部分区域吗？
答：这部分程序是进行特意的，这个部分可能不会有其他方式的数据，比如，烧录，
flash也可以用一样的函数吗？
个人觉得不行，flash是按页分的，EEPROM可以按字节编辑，所以肯定有区别。（未进行实验，也没什么意义）