如何去实现STM32F系列MCU的FLASH编程呢

　　STM32F系列单片机内部含有较大容量的FLASH存储器，但没有EEPROM存储器，有时候对于参数的保存不得不另外加一片EEPROM芯片。这对于现如今大部分MCU都是FLASH+EEPROM的配置而言，显的相当的不厚道，尤其是从AVR转过来的开发者们，极为不方便。考虑到STM32F系列自身FLASH容量较大，且有自编程功能，所以很多时候可选择用FLASH模拟EEPROM，存储参数。STM32F系列的FLASH容量一般都足够大，笔者的所有设计中，最高也只用到其相应FLASH的60%左右，还有很多未用到的空间，用于存储参数还是相当方便的。另外，操作FLASH还能方便的实现IAP功能，这对于某些应用，是非常实用的。
　　STM32F系列MCU的FLASH的编程其实是非常简单的，它内部有一个FPEC模块专门用于管理FLASH操作，包括高压产生、擦除、写入等等过程，在ST官文PM0042这篇Application note里面，有详细介绍其编程流程及实现方法。顺便吐糟下，ST文档的一贯风格，介绍的不明不白，文档写的乱七八糟，这与Atmel/Freescal/Microchip等公司的文档基本不在一个水平上。吐糟的重点是：如果完全按文档，基本调试会换败。
　　继续：文档中有些地方没有说明白，用库的话，不用关心很多细节，但是我们这类寄存器族，就没办法去放过每一个细节了，如果你也用寄存器编程，那你有福了。
　　以下是我对FLASH编程的实现，流程，相然还是参考PM0042，细节说不清楚，但流程应该不致于出错，否则也不应该弄个PM0042出来误人了。主要以下几个实现：
　　FLASH忙状态判断与等待。
　　FLASH的加锁与解锁。
　　FLASH的页/片擦除。
　　FLASH的数据写入。
　　FLASH的数据读出。
　　程序用到的几个定义：
　　#define FLASH_ADDR_START 0x08000000 //FLASH起始地址
　　#define FLASH_PAGE_SIZE 2048 //FLASH页大小
　　#define FLASH_PAGE_COUNT 256 //FLASH页总数
　　一、FLASH的忙状态判断。
　　按照手册介绍，我们弄不清楚到底是从BSY位判断，还是EOP位判断，PM0042里面一会是BSY位，一会是EOP位，也没有明确指出各自的条件，经反复测试与检验，BSY位才是忙检测的最佳选择，但是用EOP位也行，程序也能运行，不知道为什么。
　　/*-------------------------------------------------------------------------------
　　Func： FLASH操作忙判断
　　Note： return 0/OK 》0/timeout
　　------------------------------------------------------------------------------*/
　　uint8 Flash_WaitBusy（void）
　　{
　　uint16 T=1000;
　　do{
　　if（！（FLASH-》SR&FLASH_SR_BSY））return 0;
　　}while（--T）;
　　return 0xFF;
　　}
　　以上，加入了超时返回，虽然几乎不会发生，但还是为安全考虑。
　　二、FALSH的加锁与解锁。
　　按照PM0042给出的描述，这个没什么悬念和问题，直接操作KEYR即可。
　　// Ltype=0/解锁 Ltype》0/加锁
　　void Flash_LockControl（uint8 Ltype）
　　{
　　if（Ltype==0）{
　　if（FLASH-》CR&FLASH_CR_LOCK）{
　　FLASH-》KEYR=0x45670123;
　　FLASH-》KEYR=0xCDEF89AB;
　　}
　　}else FLASH-》CR|=FLASH_CR_LOCK;
　　}
　　三、FLASH的页/片擦除。
　　根据文档给出的流程，我们只能按页擦除和片擦除，页大小从低容量到大容量略有不同，大容量为2048字节/页，其它为1024字节/页，且写入地址必面按页对齐，一定要注意。页擦除和片擦除流程分别如下：
　　
　　上面的流程没有给出BSY之后的处理，事实上，还有其它的工作要做，仔细看编程手册上对于FLASH-》CR寄存器相关位置位与复位的描述。
　　/*-------------------------------------------------------------------------------
　　Func： 擦除FLASH
　　Note： PageIndex/页编号 PageCount/页数［=0xFFFF为片擦除］
　　-------------------------------------------------------------------------------*/
　　uint8 Flash_EreasePage（uint16 PageIndex，uint16 PageCount）
　　{
　　uint8 R;
　　if（PageCount==0）return 0xFF;
　　Flash_LockControl（0）; //FLASH解锁
　　if（（PageIndex==0xFFFF）&&（PageCount==0xFFFF））{ //全片擦除
　　FLASH-》CR|=FLASH_CR_MER; //设置整片擦除
　　FLASH-》CR|=FLASH_CR_STRT; //启动擦除过程
　　R=Flash_WaitBusy（）; //等待擦除过程结束
　　if（！（FLASH-》SR&FLASH_SR_EOP））R=0xFF; //等待擦除过程结束
　　FLASH-》SR|=FLASH_SR_EOP;
　　FLASH-》CR&=（~（FLASH_CR_STRT|FLASH_CR_MER））;
　　Flash_LockControl（1）; //锁定FLASH
　　return R;
　　}
　　while（PageCount--）{
　　FLASH-》CR|=FLASH_CR_PER; //选择页擦除
　　FLASH-》AR=（uint32）PageIndex*FLASH_PAGE_SIZE; //设置页编程地址
　　FLASH-》CR|=FLASH_CR_STRT; //启动擦除过程
　　R=Flash_WaitBusy（）; //等待擦除过程结束
　　if（R！=0）break; //擦除过程出现未知错误
　　if（！（FLASH-》SR&FLASH_SR_EOP））break; //等待擦除过程结束
　　FLASH-》SR|=FLASH_SR_EOP;
　　PageIndex++;
　　if（PageIndex》=FLASH_PAGE_COUNT）PageCount=0;
　　}
　　FLASH-》CR&=（~（FLASH_CR_STRT|FLASH_CR_PER））;
　　Flash_LockControl（1）; //重新锁定FLASH
　　return R;
　　}
　　以上方法将FLASH页擦除和片擦除放到一起，页擦除时可以擦除连续的指定页数。在BSY之后又判断了EOP位，并复位STRT和PER或MER位，这是PM0042里面没有提到的，完全没有提到，只有CR寄存器描述中稍有提到，但是非常重要。
　　三、FLASH的数据写入，即编程。
　　按文档PM0042第9页描述，STM32F系列编程时只能按16位写入，这点要非常清楚，切记。手册给出的流程：
　　
　　以上流程也是一样，在BSY之后并没有合理的善后工作，事实上，读出数据并检验这将使数据写入过程更慢，占用时间，同时，笔者也认为几乎没必要这样每次都处理。一般的做法是，先全部写，写完后再读出来检查与比较。
　　/*-------------------------------------------------------------------------------
　　Func： 编程FLASH
　　Note： Addr/编程地址 Buffer/数据源 Length/长度
　　-------------------------------------------------------------------------------*/
　　uint8 Flash_WriteDatas（uint32 Addr，uint16 *Buffer，uint16 Length）
　　{
　　uint8 R=0;
　　uint16 *FlashAddr=（uint16 *）Addr;
　　Flash_LockControl（0）; //解锁FLASH
　　while（Length--）{
　　FLASH-》CR|=FLASH_CR_PG;
　　*FlashAddr++=*Buffer++; //写入数据
　　R=Flash_WaitBusy（）; //等待编程结束
　　if（R！=0）break;
　　if（！（FLASH-》SR&FLASH_SR_EOP））break; //等待编程结束
　　FLASH-》SR|=FLASH_SR_EOP;
　　}
　　Flash_LockControl（1）;
　　return R;
　　}
　　以上方法实现了数据的写入过程，应当注意的是，FLASH的写入实际上只能把原数据的高电平位写入低电平位，即只能从位1写成位0，因此必须保证所写入的这地址在此之前已被擦除过，否则可能写入不正确。但不会有任何的错误发生，只是实际写入的数据与想写入的数据不一样。
　　最值得注意的是，PM0042前几页有反复提到，在进行FLASH写入时进行FLASH的读操作将会导致总线锁住，我实际的测试情况不是锁住，而是锁死，MCU死机。并没有得到PM0042里面所说的等写完后能进行读，而是直接死掉。
　　四、FLASH数据的读出。
　　这个是最简单的，就像从FLASH读取字符串一样，直接读取即可。
　　void FLASH_ReadDatas（uint32 Addr，uint16 *Buffer，uint16 Length）
　　{
　　uint16 *FlashAddr=（uint16 *）Addr;
　　while（Length--）*Buffer++=*FlashAddr++;
　　}
　　以上方法实现数据读出，虽为uint16 类型，但实际上可为任意类型。