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SiC和GaN具有的优势主要有下面4个:
首先,宽禁带半导体具有卓越的dV/dt切换性能,这意味着开关损耗非常小。这使得高开关频率(SiC为50 kHz至500 kHz,GaN为1 MHz以上)成为可能,结果有助于减小磁体体积,同时提升功率密度。 二是,电感值、尺寸和重量能减少70%以上,同时还能减少电容数量,使最终转换器的尺寸和重量仅相当于传统转换器的五分之一。 三是无源元件和机械部件(包括散热器)的用量可节省约40%,增值部分则体现在控制电子IC上。 四是宽禁带半导体对高结温具有超高的耐受性,这种耐受性有助于提升功率密度,减少散热问题。 |
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