[问答]

为什么GaN会在射频应用中脱颖而出？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 镓(Ga) 是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。 GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。 GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。 GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多，并且具有较高的射频损耗，但成本也低很多。这就是GaN-on-Si 成为价格敏感型电源电子应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-Si 基板的直径可达12 英寸。那么，为何GaN 在射频应用中优于其他半导体呢？ 0
2019-8-1 07:24:28　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 化二为一该类别下有 12 个回答。邀请回答 dymanic 该类别下有 8 个回答。邀请回答 60user150 该类别下有 7 个回答。邀请回答 vuwuerwxs 该类别下有 7 个回答。邀请回答 cswerwr 该类别下有 7 个回答。邀请回答 kingnet_520888 该类别下有 7 个回答。邀请回答 cyhe 该类别下有 7 个回答。邀请回答 kong19 该类别下有 7 个回答。邀请回答燕子湖畔该类别下有 6 个回答。邀请回答 h1654155957.9611 该类别下有 6 个回答。邀请回答 mingfawolf 该类别下有 6 个回答。邀请回答 h1654155957.9663 该类别下有 6 个回答。邀请回答 testd001xx 该类别下有 6 个回答。邀请回答 duzh20016 该类别下有 6 个回答。邀请回答 Hongliang_sz 该类别下有 6 个回答。邀请回答 bozai602 该类别下有 6 个回答。邀请回答 guocepan 该类别下有 6 个回答。邀请回答 60user43 该类别下有 6 个回答。邀请回答 wznnzw 该类别下有 6 个回答。邀请回答 guokuikang 该类别下有 6 个回答。邀请回答举报罗宏达相关推荐 • 怎么在SystemVue 2013中创建零件向导 1710 • 入坑STM32 我们要学习什么 1004 • 单通道汽车LED驱动器让你告别汽车照明离散解决方案 1002 • GaN是如何转换射频能量的？如何在烹饪中的应用的？ 1944 • esp8266作为电池供电遥控器的可行性？ 236 • 嵌入式技术特刊荣邀各界资深专家，与您一探究竟！ 3234 • 2017年德国IF奖，中国的无人机得奖了，还有哪些得奖了？ 4631 • 基于GaN的开关器件 2973 • 嵌入式应用对微处理器的需求 1422 • 不同衬底风格的GaN之间有什么区别？ 3145 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 相比Si 和GaAs 等其他半导体，GaN 是一种相对较新的技术，但它已然成为某些高射频、大功耗应用的技术之选，比如需要长距离或以高端功率水平传输信号的应用（如雷达、基站收发器 [BTS]、卫星通信、电子战[EW] 等）。 GaN-on-SiC在射频应用中脱颖而出，原因如下：高击穿电场：由于GaN 的带隙较大，GaN 具有较高的击穿电场，这使得GaN 设备的工作电压可远远高于其他半导体设备。当受到足够高的电场作用时,半导体中的电子能够获得足够动能来打破化学键（这一过程被称为碰撞电离或电压击穿）。如果碰撞电离未得到控制，则可能会降低器件性能。由于GaN 器件可以在较高电压下工作，因此可用于较高功率的应用。

2019-8-1 14:53:06 评论举报徐丽丽

答案对人有帮助，有参考价值 0 高饱和速度：GaN 上的电子具有很高的饱和速度（在极高电场下的电子速度）。当结合大电荷能力时，这意味着GaN 器件能够提供高得多的电流密度。射频功率输出是电压与电流摆幅的乘积，所以，电压越高，电流密度越大，则实际尺寸的晶体管中产生的射频功率就越大。简言之，GaN 器件产生的功率密度要高得多。出色的热属性：GaN-on-SiC 器件表现出不同一般的热属性，这主要因为SiC 的高导热性。具体而言，这意味着在消耗功率相同的情况下，GaN-on-SiC 器件的温度不会变得像GaAs 器件或Si 器件那样高。器件温度越低才越可靠。

2019-8-1 14:53:08 评论举报魏红