XILINX BMG介绍

　　BRAM 简介
　　XILINX 系列的 FPGA ，如果想要做一个 RAM，有两种方式：
　　1、使用逻辑资源组成分布式 RAM，即 Distributed RAM
　　2、使用 XILINX 专用的 Block RAM，即 BRAM
　　前者是由 CLB 的 SLICEM 的 LUT 组合而成，构成 RAM 后，可能分布在不同的地方，具有一定的延迟；
　　后者是 Block RAM 是内嵌专用的 RAM，是 XILINX 做进 FPGA 内的专用资源，具有更好的时序性能；
　　这里我们以 ZYNQ-7000 为例：
　　
　　可以看到红色方框中，标识出了此款 FPGA 的 BRAM 资源，我们也可以了解到，一个 BRAM 资源大小为 36Kbits（注意，这里是 bits），红色方框的这款含有 140 个这样的 BRAM，也就是一共含有 36Kbits * 140 = 4.9Mbits 大小的 BRAM 资源；
　　在 XILINX 的官方文档上，介绍这部分的文档是：
　　pg058-blk-mem-gen.pdf
　　有兴趣的可以下载来看下；
　　针对 BRAM 资源的接口形式，主要分为两种：
　　Native：本地 BRAM
　　AXI4：与 AXI4 总线互联的 BRAM
　　这里更多的来了解一下 Native 类型的 BRAM，等到要用到 BRAM 挂到 AXI 上的时候，再来仔细分析 AXI Interface 的 BRAM；
　　较为新的 XILINX 介绍这部分的内容叫 BMG（Block Memory Generator）

Block Memory Generator Feature

2.1 Type

按照 BRAM 可以构成的器件类型来分，主要可以分为如下几种：

• Single-port RAM ： 单口 RAM
• Simple Dual-port RAM：伪双口 RAM
• True Dual-port RAM：真双口 RAM
• Single-port ROM ：单口 ROM
• Dual-port ROM：双口 ROM

2.1.0、Signals Descriptions

首先进行信号的描述，常用到信号含义如下表所示：
Signal NameDirectionDescriptionclkaInputPort A 的同步时钟信号addraInputPort A 的地址信号dinaInputPort A 写操作时候的输入数据信号doutaOutputPort A 读操作时候的输出数据信号enaInputPort A 的使能信号，在读，写，Rst 的时候需要此信号weaInputPort A 的写使能信号rstaInputPort A 的复位信号regceaInputPort A 的可选后级输出寄存器信号clkbInputPort B 的同步时钟信号addrbInputPort B 的地址信号dinbInputPort B 写操作时候的输入数据信号doutbOutputPort B 读操作时候的输出数据信号enbInputPort B 的使能信号，在读，写，Rst 的时候需要此信号webInputPort B 的写使能信号rstbInputPort B 的复位信号regcebInputPort B  的可选后级输出寄存器信号***iterrOutputSingle-Bit Error 信号dbiterrOutputDouble-Bit Error  信号inject***iterrInputInject Single-Bit Error: Available only for Zynq-7000 and 7 series ECC configurations.rdaddreccOutputRead Address for ECC Error output: Available only for Zynq-7000 and 7 series ECC configurationseccpipeceInputECC Pipe Line Register Clock Enable: Available only for UltraScale architecture-based devices.sleepInput动态功耗调整: If sleep pin is High , the Block Memory Generator core is in power saving mode. Available only for UltraScale architecture-based devices2.1.1、Single-port RAM

XILINX 官方的 pg058 部分描述了 Single-port RAM 的典型应用，可用于处理器暂存数据的 RAM，或者作为查找表等；它的图解如下所示，斜杠的信号为可选信号，其余的是必选信号；

CLKA 为输入的时钟信号，时钟上升沿对数据进行写入/读出
DINA 为写入的数据总线
DOUTA 为读出的数据总线
ADDRA 为地址总线
ENA 为使能端，当 ENA 为 1 的时候，可进行读写操作，ENA 为 0 的时候，无法进行读写
WEA 为写使能，当 ENA 为 1 同时 WEA 为 0 的时候，为读操作；当 ENA 和 WEA 同时为 1 的时候，为写操作；
由于只有一组地址总线，故，单口的 RAM 是无法同时进行读写操作的，只能读、写分开进行；

　　2.1.2、Simple Dual-port RAM
　　XILINX 官方的 pg058 部分描述了 Simple Dual-port RAM 的典型应用：Content addressable memories， FIFOs
　　它的图解如下所示：
　　
　　与单口 RAM 不同的是，伪双口 RAM 输入有两路时钟 ： CLKA/CLKB ，独立的两组地址信号 ADDRA/ADDRB，Port A 提供 DINA 写数据总线，作为数据写入的入口；Port B 仅仅提供数据读的功能，读出的数据为 DOUTB；
　　所以伪双口 RAM 能够提供同时读写 RAM 的功能
　　2.1.3、True Dual-port RAM
　　XILINX 官方的 pg058 部分描述了 True Dual-port RAM 的典型应用：多处理器存储方案，Multi-processor storage
　　它的图解如下所示：
　　
　　真双口 RAM 提供了独立的 Port A 和 Port B 的读写功能，既可以同时处在读，也可以同时写，也可以一个读一个写；
　　2.1.4、Single-port ROM
　　BRAM 也可以做成 ROM，典型应用是：Program code storage， initialization ROM，如下图所示
　　
　　与 Single-port RAM 几乎相同，唯一不同的是，没有 DINA 信号，因为是 ROM，所有不提供写入；
　　2.1.5、Dual-port ROM
　　BRAM 也可以做成 ROM，典型应用是：Single ROM shared between two processors/systems
　　
　　双口的 ROM，提供 Port A 和 Port B 两路读；

　　2.2、Selectable Memory Algorithm
　　使用 XILINX 的 BMG 生成上述类型的 RAM/ROM 的时候，有一个可选项叫做生成的算法，这里有三种可选的算法：
　　Minimum Area Algorithm ： 面积最优
　　Low Power Algorithm：功耗最低
　　Fixed Primitive Algorithm：固定原语
　　2.3、Configurable Width and Depth
　　在使用 BMG 生成 RAM 的时候，位宽支持配置从 1 bits ~ 4608 bits，深度支持大于等于 2，具体最大能够配置出多少 RAM，需要查看当前的器件手册中包含的 BRAM 的个数；

　　Selectable Operating Mode per Port
　　BRAM 组成 RAM 后的读写模式可以分为三种，并且 Port A 和 Port B 可以独立配置：
　　1. Write First Mode
　　2. Read First Mode
　　3. No Change Mode
　　这些 mode 是针对一个 Port 来说的；
　　2.4.1、Write First Mode
　　这种模式下，写操作的优先级高于读操作，它的时序如下所示：
　　
　　这个时序很生动的描述了这种 mode ：
　　1、刚刚开始，ENA 信号一直为 0，即，没有使能；
　　2、第一个虚线，也就是 CLKA 的上升沿位置，采到 ENA 为 1，同时 WEA 为 0，则代表为 READ 时序，同时，在这个上升沿，采集到 ADDRA 上为 aa（ADDRA 为并行地址总线），那么就会在获取到 aa 这个地址中的值后（经过了一点延时），将数据打到 DOUTA［15:0］ 上，所以这里可以看到 DOUTA 上是 MEM（aa），也就是 aa 这个 RAM 地址中存储的数据；
　　3、第二个虚线，CLKA 上升沿的时候，同样会检测 ENA 和 WEA，此刻，它们都为 1，则代表 WRITE 时序来了，此刻采集到写入数据总线 DINA 上的数据为 1111，地址总线上是 bb，那么此刻是将地址 bb 的值放到 DOUTA 上呢，还是直接将 DINA 的值放到 DOUTA 上呢，这个 Operating Mode 就是解决这个问题的，在 Write First Mode 的情况下，DINA 的 1111 数据直接被送到了 DOUTA 总线上，同时，MEM（bb） 的内容被写入 1111，；
　　4、第三个虚线，CLKA 上升沿的时候，同理，2222 数据被直接写到 MEM（cc），同时被输出到 DOUTA 上
　　5、第四个虚线，CLKA 上升沿的时候，WEA 信号被拉到 0，但是 ENA 信号还是 1，说明当前不存在 WRITE了，只有 READ 时序，那么会将 ADDRA 上采集到的 dd 地址的数据读出到 DOUTA 上；
　　2.4.2、Read First Mode
　　这种模式下，读操作的优先级高于写操作，它的时序如下所示：
　　
　　有了 Write First Mode 的分析过程，分析这个也不算困难：
　　1、刚刚开始，ENA 信号一直为 0，即，没有使能；
　　2、第一个虚线，也就是 CLKA 的上升沿位置，采到 ENA 为 1，同时 WEA 为 0，则代表为 READ 时序，同时，在这个上升沿，采集到 ADDRA 上为 aa（ADDRA 为并行地址总线），那么就会在获取到 aa 这个地址中的值后（经过了一点延时），将数据打到 DOUTA［15:0］ 上，所以这里可以看到 DOUTA 上是 MEM（aa），也就是 aa 这个 RAM 地址中存储的数据；
　　3、第二个虚线，CLKA 上升沿的时候，同样会检测 ENA 和 WEA，此刻，它们都为 1，则代表 WRITE 时序来了，此刻采集到写入数据总线 DINA 上的数据为 1111，地址总线上是 bb，由于是在 Read First Mode 的情况下，DOUTA 读出的数据是 bb 地址的数据，读操作完成后同时，MEM（bb） 的内容更新为 1111，；
　　4、第三个虚线，CLKA 上升沿的时候，DOUTA 读出的数据是 cc 地址的数据，读操作完成后同时，MEM（cc） 的内容更新为 2222；
　　5、第四个虚线，CLKA 上升沿的时候，WEA 信号被拉到 0，但是 ENA 信号还是 1，说明当前不存在 WRITE了，只有 READ 时序，那么会将 ADDRA 上采集到的 dd 地址的数据读出到 DOUTA 上；
　　2.4.3、No Change Mode
　　还有一个 No Change Mode，这个 No Change 指的是当在写的时候， DOUTA 读的数据总线数据保持不变，也就是 No Change；
　　
　　可以看到，当在往 RAM 里面写的时候，DOUTA 读出的数据保持了不变，即，一直为 aa 的内容，直到 WEA 被拉低，重新进入 READ 模式；
　　综上所述，这几种模式，主要都是针对的是读数据总线的行为，是直接读出 DINA 呢？还是读出旧的内存地址的数据呢？还是在写的时候被拉住；

　　2.5.Selectable Port Aspect Ratios
　　支持 Port A 和 Port B 配置不同的位宽，甚至同一个 Port 配置 Read 和 Write 的位宽不同；
　　2.6、Optional Byte-Write Enable
　　BMG 支持可选的一个叫做 Byte-Write 模式，这是一个针对 Write 的模式，在这个模式下，WEA 信号由之前的 1 bit 扩展为了 N 个 bit，在这 N 个 bit 中，1 代表对应的 DINA 中对应 Bytes 会被更新到 ADDRA 对应的地址上去，如果 N bit 中，0 代表对应的 DINA 对应的 Byte 不会被更新到 ADDRA 对应的地址上去，有点拗口，下面是一个基于 Singal-port RAM，输入数据总线 DINA 为 24 bits 宽度，也就是 3 个 Bytes，WEA 为 3 个 bit 宽度，直接看 Timing
　　
　　DINA 的每个 Byte，对应到 WEA 的每一个 bit，可以看到：
　　1、第一个虚线 CLKA 上升沿，WEA［2：0］ 是 3b‘011，ADDRA 是 0x0000 地址，DINA［23：0］ 是 FF EE DD，那么他的行为是，由于 WEA=011，代表控制器会去将 DINA 的 后面两个 Bytes 更新到 RAM ADDRA 对应的地址上去，也就是 EE DD 被更新到 0000 的对应位置；
　　2、第二个虚线 CLKA 上升沿，WEA［2：0］ 是 3b’010，ADDRA 还是 0x0000 地址，DINA［23：0］ 是 CC BB AA，那么它的含义是，将 BB 更新进去，也就是看到 RAM Contents 内容为 00 BB DD
　　3、第三个虚线 CLKA 上升沿，WEA［2：0］ 是 3b‘101，ADDRA 还是 0x0000 地址，DINA［23：0］ 是 99 88 77，那么它的含义是，将 99 和 77 按照位置定义关系更新进去，也就是看到 RAM Contents 内容为 99 BB 77
　　4、第四个虚线 CLKA 上升沿，WEA［2：0］ 是 3b’000，所以即便是 DINA 有数据，那么 RAM 内容也不会被更新进去；
　　5、第五个虚线 CLKA 上升沿，WEA［2：0］ 是 3b‘110，ADDRA 还是 0x0000 地址，DINA［23：0］ 是 33 22 11，那么它的含义是，将 33 和 22 按照位置定义关系更新进去，也就是看到 RAM Contents 内容为 33 22 77
　　6、第六个虚线 CLKA 上升沿，WEA［2：0］ 是 3b’010，ADDRA 还是 0x0000 地址，DINA［23：0］ 是 00 FF 00，那么它的含义是，将 FF 按照位置定义关系更新进去，也就是看到 RAM Contents 内容为 33 FF 77

　　Collisions
　　既然是支持多 Port 同时写入，那么就会存在这个冲突的问题，在冲突发生的时候，存储内容不可预知；
　　冲突主要出现在一下场景：
　　两个 Port 的异步时钟，一个 port 正在往一个地址写数据，另一个 port 在指定时间内，必须不能够去读写这个地方；
　　两个 Port 同步时钟的情况下，两个 Port 同时企图写同一个 memory 的情况下；
　　使用 Byte-Writes 的时候，正好同时写到了同一个地方的情况下；
　　2.7.1、Write-Write Collision
　　以 Byte-Writes 为例，假设 Port A 和 Port B 的 ADDR 都是 0x0000；
　　
　　如上图所示：
　　1、第一个虚线时钟上升沿，WEA 是 1100，WEB 是 0011，所以写入的内容正好错开，并不冲突
　　2、第二个虚线时钟上升沿，WEA 是 0101，WEB 是 1010，所以写入的内容正好错开，也不冲突
　　2、第三个虚线时钟上升沿，WEA 是 1110，WEB 是 0011，第三个 bit 冲突，往同一个地址写内容，所以看到的是 7777 XX00，其中的 XX 是不可预知的内容；
　　后面的分析类似，不在赘述；
　　2.7、Optional Output Registers
　　BMG 允许可选的在输出级增加一级寄存器，来改善输出性能；
　　可以选择在两个输出的地方增加寄存器：
　　1、在每个 Block RAM 输出的地方增加寄存器；
　　2、在整个 BMG Core 输出的地方增加寄存器；
　　这两个配置都可以针对 Port A 和 Port B 进行单独的配置；
　　Notes：增加一级输出寄存器，会增加一个 Clock Cycle 的延时；
　　如果是使用每个 Block RAM 输出端增加 Register，这个触发器是属于 BRAM 的内部资源，不会占用其他的 FPGA 资源；如下图所示：
　　
　　Block RAM 中的那个寄存器就是指的第一种在输出端增加寄存器；
　　Core Output Register 那个寄存器，就是第二种，在整个 BMG 输出端增加 Register 的方式；