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UG373的最新信息是正确的信息。
解耦信息在V1.2中更新。 ML605是使用原来的建议创建的,这些建议后来变得更好。 ------您是否尝试在Google中输入问题? 如果没有,你应该在发布之前。太多结果? 尝试添加网站:www.xilinx.com 在原帖中查看解决方案 |
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我明白你的意思。
这应该在下一个版本中清理,以避免任何混淆。 ------您是否尝试在Google中输入问题? 如果没有,你应该在发布之前。太多结果? 尝试添加网站:www.xilinx.com |
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通常你应该开始一个新的线程,但这似乎与原始线程有关,因为我没有打败你。
(开玩笑!) 什么,如果有的话,将是多个100uF上限的问题 更换330uF盖帽。 我看到建议的ESR范围为15 由于免责声明我不是Xilinx员工,我对您的设计不承担任何责任,以下是我的意见: 1.对于简单的数字逻辑设计,不应推荐使用钽电容器。 低ESR铝或特殊聚合物电解质提供相同的性能,成本相等或更低,并且更稳定(您是否经历过钽电容器爆炸或燃烧?我有!)。 此外,钽是一种剧毒物质。 2.电路板上的大多数“低esr”去耦是以1.0 uF - 0.1uF芯片盖的形式洒在电路板上。 这些电容大大减轻了“低esr”批量去耦的负担。 话虽如此,每个设计师都需要在他/她的职业生涯中至少计算一次纹波电流要求,以建立和理解某个电源ESR可以预期多少电流 - 以及多少纹波电压。 3.基于简单的实际情况,100uF MLCC芯片上限的ESR可能比同等的钽电容上限更低。 这些芯片上限中的三个并联,将有效ESR降低67%。 当电容器系列数据表中没有出现信息时,有时很难从制造商处提取ESR和ESL曲线,但需要这样做。 不要相信我的任何陈述。 至少有一次,每位董事会设计师都需要对此主题进行尽职调查,以了解所涉及的基本原则。 - 鲍勃埃尔金德 签名:新手的自述文件在这里:http://forums.xilinx.com/t5/New-Users-Forum/README-first-Help-for-new-users/td-p/219369总结:1。 阅读手册或用户指南。 你读过手册了吗? 你能找到手册吗?2。 搜索论坛(并搜索网页)以寻找类似的主题。 不要在多个论坛上发布相同的问题。 不要在别人的主题上发布新主题或问题,开始新的主题!5。 学生:复制代码与学习设计不同.6“它不起作用”不是一个可以回答的问题。 提供有用的详细信息(请与网页,数据表链接).7。 您的代码中的评论不需要支付额外费用。 我没有支付论坛帖子的费用。 如果我写一篇好文章,那么我一无所获。 |
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
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