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我在附件中实现了ddr2,theclk0,clk90,clk200,clkdiv modelsimpic。
什么原因? 请帮助,谢谢。 出现以下错误: 错误:包装:1653 - 至少有一个时序约束是不可能满足的,因为单独的组件延迟超过了约束。 下面的时序约束摘要显示了失败的约束(以星号(*)开头)。 请将时序分析器(GUI)或TRCE(命令行)与映射的NCD和PCF文件一起使用,以确定哪些约束和路径因单独的组件延迟而失败。 如果故障路径按预期映射到Xilinx组件,请考虑放宽约束。 如果未按预期映射到组件,请重新评估HDL以及合成如何优化路径。 要允许工具绕过此错误,请将环境变量XIL_tiMING_ALLOW_IMPOSSIBLE设置为1。 派生约束ReportDerived约束TS_SYS_CLK + ------------------------------- + ------------ - + ------------- ------------- + ------------- + ------ + ------- + ------------- ------------- + + | | 期间| 实际期间| 时序错误| 路径分析|| 约束| 要求| ------------- + ------------- | ------------- + ------ ------- | ------------- ------------- + || | | 直接| 衍生物| 直接| 衍生物| 直接| 衍生物| + ------------------------------- + ------------- + - ------------ + ------------- ------------- + --------- + ---- + ------------- + ------------- + | TS_SYS_CLK | 3.750ns | 2.334ns | 18.000ns | 4 | 10267 | 0 | 11963 || TS_u_ddr2_infrastructure_clk0_ | 0.417ns | 2.000ns | N / A | 2571 | 0 | 0 | 0 || bufg_in | | | | | | | || TS_u_ddr2_infrastructure_clk90 | 0.417ns | 2.000ns | N / A | 552 | 0 | 0 | 0 || _bufg_in | | | | | | | || TS_u_ddr2_infrastructure_clkdi | 0.833ns | 1.401ns | N / A | 206 | 0 | 0 | 0 || v0_bufg_in | | | | | | | || TS_MC_RD_DATA_SEL | 15.000ns | 0.702ns | N / A | 128 | 0 | 192 | 0 || TS_MC_RDEN_SEL_MUX | 15.000ns | 0.501ns | N / A | 0 | 0 | 64 | 0 || TS_MC_PHY_INIT_DATA_SEL_0 | 15.000ns | 1.151ns | N / A | 85 | 0 | 141 | 0 || TS_MC_PHY_INIT_DATA_SEL_90 | 15.000ns | N / A | N / A | 0 | 0 | 0 | 0 || TS_MC_GATE_DLY | 15.000ns | 0.624ns | N / A | 20 | 0 | 20 | 0 || TS_MC_RDEN_DLY | 15.000ns | 0.624ns | N / A | 5 | 0 | 5 | 0 || TS_MC_CAL_RDEN_DLY | 15.000ns | 0.624ns | N / A | 5 | 0 | 5 | 0 || TS_u_ddr2_infrastructure_idly_ | 0.625ns | 1.055ns | N / A | 100 | 0 | 24 | 0 || clk_200 | | | | | | | || TS_u_ddr2_infrastructure_clk0_ | 0.417ns | 2.000ns | N / A | 4856 | 0 | 3369 | 0 || bufg_in_0 | | | | | | | || TS_u_ddr2_infrastructure_clk90 | 0.417ns | 2.000ns | N / A | 909 | 0 | 360 | 0 || _bufg_in_0 | | | | | | | || TS_u_ddr2_infrastructure_clkdi | 0.833ns | 2.127ns | N / A | 830 | 0 | 7783 | 0 || v0_bufg_in_0 | | | | | | | | + ------------------------------- + ------------- + - ----------- ------------- + ------------- + ---------- + --- + ------------- ------------- + + 没有达到13个限制。 |
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8个回答
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看起来你已经指定了266 MHz的SYS_CLK,然后是其他约束
是基于这个频率的倍数。 当你这个时候会自动发生 使用DCM创建新频率,DCM的输入频率已知。 例如,TS_u_ddr2_infrastructure_clk90_bufg_in是通过除以创建的 SYS_CLK周期为9,表明至少时序分析器认为你 我们试图将输入时钟频率266 MHz乘以9,最终得到a 周期为0.4166 ns或频率为2400 MHz。 因为我假设你意识到 这种频率是不可能实现的,约束中必定存在错误 (即DCM的输入比266 MHz慢得多)或者是错误 在DCM连接中,即您混合了FX除法和乘法值。 HTH, 的Gabor - Gabor |
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None
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看起来ddr_infrastructure.v已被编辑为放置固定的PLL比率而不是使用
参数。 在任何情况下,我都看到“200 MHz”idelay时钟的PLL正在倍增 它的输入为6,而其他时钟的PLL则为各种时钟倍增9,4.5和2.25 输出。 这与时序报告完全吻合。 这意味着您的输入时钟应该 运行在33.333 MHz,因此应该有一个PERIOD timespec .ucf文件为30 ns。 然而,似乎某个地方你有一个期间规格。 的 而是3.750 ns。 检查.ucf文件,如果没有看到3.75 ns(或3750 ps) 规范,尝试项目 - >清理项目FIles,以防有残余 项目文件中保留的前一个时间条件。 HTH, 的Gabor - Gabor |
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None
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具有开漏功能的LVCMOS18应与LED配合使用,除非LED被拉至
由于Vcco钳位至+ 1.8V,电压足够高以使其保持导通状态。 带上拉 至+ 2.5V我已成功使用1.8V CMOS驱动LED,其额定正向电压为 最大2.1V 如果LED上拉电阻变为+ 3.3V,即使输出结果也可能会看到它变暗 高或未驱动。 问候, 的Gabor - Gabor |
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只有小组成员才能发言,加入小组>>
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