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我担心假设任何没有严格规范的东西，V_EH引脚似乎没有关于它的信息。
1）数据表显示'当能量收集模式被禁用或RF场强不足时，能量收集模拟电压输出V_EH处于高阻态。与此High-Z状态相关的规范是什么？具体是什么是反向泄漏？ 2）我看不出任何与V_EH输出电压与电流特性相关的规范。它们存在吗？我认为它将是RF领域的一个功能。引脚上的空载电压是多少？ 这是这项工作的最佳IC吗？ 任何帮助将不胜感激。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 I'm wary about assuming anything that doesn't have a firm specification and the V_EH pin seems to have very little information about it. 1) The datasheet says 'When the Energy harvesting mode is disabled or the RF field strength is not sufficient, the energy harvesting analog voltage output V_EH is in High-Z state.' What is the specification associated with this High-Z state? Specifically what is the reverse leakage? 2) I cannot see any specification associated with V_EH output voltage vs current characterisitcs. Do they exist? I apreciate it will be a function of the RF field. What is the unloaded voltage on the pin? Is this the best IC for the job? Any assistance would be greatly appreciated. 
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3个回答
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是否有其他设备具有更好的指定VEH性能？
缺乏回复并没有让我对这台设备充满信心。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Is there another device that has a better specified V_EH performance? The lackof reply doesn't instill me with much confidence for this device. |
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亲爱的Mike xx，
您可以在st.com网站上的以下地址获得的专用应用笔记“AN4913”中找到V_EH输出电压与电流的函数关于RF场强的函数： https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/group0/c2/1f/83/75/2c/f1/41/78/DM00329035/files/DM00329035.pdf/jcr：内容/翻译/ en.DM00329035.pdf 关于高阻模式下V_EH引脚的阻抗值（以及相关的可能的漏电流），我会尽快检查并回复您。 最好的祝福。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Dear Mike xx, You can find figures of V_EH output voltage versus current in function of RF field strength in a dedicated application note 'AN4913', available on st.com website at the following address: https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/group0/c2/1f/83/75/2c/f1/41/78/DM00329035/files/DM00329035.pdf/jcr:content/translations/en.DM00329035.pdf Regarding the impedance value of V_EH pin in High-Z mode (and associated possible current leakage), I will check and come back to you as soon as possible. Best regards. |
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亲爱的Mike xx，
对不起，答案很长。正如您所注意到的，ST社区网站一直在移动，这引入了一些延迟的答案。 V_EH引脚上的输入漏电流的一些测量已经在生产批次上。 在环境温度（30℃）下，当V_EH为High_Z且引脚上施加5.5V电压时，V_EH引脚上的输入泄漏为500nA。在90C时，当V_EH为High_Z且为5.5时，V_EH引脚上的输入泄漏为5uA V电压施加在引脚上。 我希望这能回答你所有的问题。 最好的祝福。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Dear Mike xx, Sorry for the long delay of the answer. As you have noticed, ST community web site has been moving and this introduced some delays in answers. Some measurements of the input leakage current on V_EH pin has been on a production lot.
I hope this answer all your questions. Best regards. |
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