[问答]

NvSRAM RWI抑制与WE线对比关系是什么？

1319 nvSRAM

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我有一个关于数据表中的RWI抑制的问题。这是内在的抑或是由我们控制的关系是什么？如果我们不在前20毫秒，那么什么是损坏数据的概率。你能再详细阐述一下这个观点吗？以上来自于百度翻译以下为原文 I have a Question about the RWI Inhibit in the Datasheet. Is that an internal Inhibit, or is it controlled by the WE what is the relationship? If WE is not up the first 20 ms, what is the probability of having corrupted data. Can you elaborate more on that relatinoship. 0
2019-3-20 14:15:53　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 36切53 该类别下有 65 个回答。邀请回答 hnui2002 该类别下有 50 个回答。邀请回答细水爱长流该类别下有 33 个回答。邀请回答不cdvdhgdh 该类别下有 31 个回答。邀请回答 iwuwjgj 该类别下有 26 个回答。邀请回答 cslb2000 该类别下有 25 个回答。邀请回答 ggfx 该类别下有 23 个回答。邀请回答珠海易胜该类别下有 23 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 22 个回答。邀请回答 h1654155958.0210 该类别下有 22 个回答。邀请回答 ncmza 该类别下有 21 个回答。邀请回答 shaoye88 该类别下有 21 个回答。邀请回答 april_yu 该类别下有 20 个回答。邀请回答瑾年Invader 该类别下有 20 个回答。邀请回答望望Ll 该类别下有 20 个回答。邀请回答 zkzk196599 该类别下有 19 个回答。邀请回答 nvwuwy 该类别下有 18 个回答。邀请回答 lucas_songlea 该类别下有 18 个回答。邀请回答 fan7572 该类别下有 17 个回答。邀请回答 zhan81411 该类别下有 17 个回答。邀请回答举报李艳玮相关推荐 • NVSRAM发行CY14B101KA 841 • 关于nvSRAM的非易失性存储器的耐久性E/P周期是多少？ 2556 • 当我的NVSRAM正在尝试AutoRecall时，如果电源出现故障会发生什么？ 914 • 相电流和线电流有何关系 8033 • STORE启用的次数怎么计算 1203 • 线电流和相电流之间有何关系 2717 • 同步工具适用于同步SRAM 2058 • 请问AD9957星座图混乱是什么影响的 1577 • 使用330UF电容器在T召回周期结束时或其他定时对VCAP电压电平有什么影响？ 1297 • PCB走线的线宽和最大允许电流有何关系 2886 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 嗨，Maged， RWI是内部抑制。它不是由我们控制的。在RWI期间，W/PIN或任何其他控制引脚的状态没有相关性。因此，在RWI期间，数据不能以任何方式被破坏。只有在RWI结束时，我们的情况才是重要的。因此，我们建议在W/Win上进行拉拔，以确保在启用RWI之后（控制器仍在启动）不需要写入。谢谢拉维注意：为了说明显而易见的情况，只有当NVSRAM已经完成启动时，控制器IO处于三态，即在结束时结束，而不是处于低状态时，拔出才有帮助。此外，您可以看到，而不是我们/您可以确保CE/IS高，这将有相同的效果，因为任何意外的写作只能发生在CE//和我们/看到在引脚低的条件。以上来自于百度翻译以下为原文 Hi Maged, RWI is an internal inhibit. It is not controlled by WE/. During RWI, condition of WE/ pin or any other control pin has no relevance. And hence, data cannot be corrupted by any means during RWI. Only at the end of the RWI, the WE/ condition will matter. Therefore, we suggest a pull up on WE/ pin to ensure that unwanted writes do not happen after RWI is enabled (and the controller is still booting up). Thanks Ravi Note: To state the obvious, the pull up helps only if the controller IO is in tristate when nvSRAM has completed boot up - at end of tHRECALL - and not if it is in LOW state. Also, you can see that instead of WE/ you can ensure CE/ is HIGH which would have the same effect since any unintended write can happen only if both CE/ and WE/ see a LOW condition at the pins.

2019-3-20 14:35:22 评论举报屈鑫燕