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自制的8168板子,现在到了烧写u-boot的环节,启动方式设置成SD卡启动,插入SD卡串口无输出信息,于是通过CCS烧写U-boot到NAND;
环境: CCSV5.5; 仿真器XDS560v2; 烧写工具: DVRRDK中的nand-flash-writer.out,CCS编译通过; 板子DDR3已通过BSL代码的测试,并作了SW leveling; *************************************************************************************** 调试过程: ①导入evm8168.gel文件(DDR3工作于796MHz ) ②DVRRDK中编译得到u-boot.noxip.bin ③CCS启动,连接, Load Program ,选择 nand-flash-writer.out。 ④ Resume 现在console栏中输出: Choose your operation Enter 1 ---> To Flash an Image Enter 2 ---> To ERASE the whole NAND Enter 3 ---> To EXITn 输入1,enter。 Enter image file path 输入了u-boot.noxip.bin 的路径。 offet 输入0; 然后输入选择1,选择BCH 8-bit; 问题出现,程序到这里会输出"Starting NETRA NAND writer ERROR: NAND Initialization failed. NAND flashing failed" ********************************************************************************************************************************* 请问,测试烧写NAND需要在哪里对NAND进行设置更改么? evm8168.gel中只做了关于DDR3的设置更改, 是否还要做其他更改? 我的烧写过程是否遗漏了别的设置? 感谢您的回答! |
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