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各位朋友有没有遇到过DDR3 Vref 信号上100nF滤波电容失效的情况？我们板子用到了2颗DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管脚各自通过两个10K电阻分压得到0.76V。主芯片上还有一个MEM_VREF管脚也是通过两个1K电阻分压得到0.76V。 
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20个回答
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现在有20多块板子上电后不开机，C1、C2VREF电压本该是0.76V，但其中某一两处电压却是偏低或偏高，如C2处只有0.062V，或者C1处是1.51V。100nF陶瓷电容表现出了100多欧姆电阻特性。如果把异常电容拆下来，板子就能正常开机。测量电容，绝大多数都没有量出电阻值，只有1颗量出来150欧电阻，应该是坏掉了。再把好电容重新焊接上去，Vref电压居然恢复到了0.76V，板子正常开机了。电容经历了重新焊接的过程居然又好了！之后经过长时间测试也没有再复现出不良情况，很奇怪。
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以前量产项目也有类似电路，但没有出现过此类不良情况。
1、首先觉得不该是电容耐压16V不够。整机使用12V适配器供电，通过DC-DC转成1.52V给DDR3使用。实际测量1.52V没有看到有电源毛刺，Vref处的电压应该远低于16V。, z/ E, A" T. I+ v 2、也不像是电源纹波导致。正常板子工作时1.52V纹波约60mV左右。0 a* E$ c( {2 q: w5 o9 Z# i$ L 3、整个板子使用100多颗100nF电容，只有这5处电容表现出异常。可能其他线路上的100nF也出现过异常，但实际还没有发现。 4、只有这5处电容工作电压是0.76V，会不会是因为低压导致的失效？网上倒是搜索到了相关信息，陶瓷电容在低电压时可能会出现失效。但DDR3 VREF使用电阻分压电路应该是比较成熟的，极少出问题才是。如果是低压失效导致，那我们以后使用DDR3L 1.35V（Vref电压只有0.675V），岂不是可能会出现更多不良情况？ 各位朋友有没有遇到过类似情况呢？或者帮忙分析一下是什么原因导致的。非常感谢！！！ |
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1 条评论
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@weilai123 这是一个已经量产的板子，前面生产几万台都没有发现问题，只是近期生产中出现了这二十多块不良板子，不良现象一致，但又找不到原因，也没有方法复现。
现在怀疑是100nF电容物料可能有问题。也只是怀疑是低压导致个别电容工作不稳定。 |
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我建议，暂时停用该100nF电容，及时止损。直接换0.1uF/50V或者25V的同封装电容。你们这种大批量生产的东西，一旦出现问题，到时候很麻烦，换掉这个物料，不需要多少钱。最起码要将出现问题的这几个位号的电容换成0.1uF/25V处理。
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拆下来、先别扔，换不同批次的上去，测试效果；然后再拆下同样位置的物料，把之前拆下来的疑似不良料重新焊接上去，待冷却到常温，再测试，不能复现吗？
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又学习了。
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可能那批是次料、库存料，毕竟现在MLCC太贵了
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叠层电容因外力作用会产生楼主现在的问题。应该从结构上，以及生产工艺上多考虑一下。此现象为：电容表现为内阻变小甚至短路，拆来后测试正常，重新焊上去性能正常！且极难重现。
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2019-2-19 10:45:45
评论
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@richips 嗯，也有可能像你说的情况，由外力导致。但可能不是结构上的原因，以为组装之前的单板测试也出现了许多不良。如果是SMT制程上，板子上用这么多电容，按理说应该不止坏这5个位置的电容，其他位置的电容应该也有坏的，但实际中并没有发现（也可能是其他位置有坏的，但没有影响到功能测试，没有被产线拦截下来。而DDR这5个位置因为在Vref上，又是用电阻分压电路，只要滤波电容内阻变化，那Vref电压就不正确，板子就不开机）。制程上的原因也不太容易查到，因为是已经量产的板子，SMT制程比较顺了。
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从你现象看电容应该有问题，但是不是所有现象都是电容问题，电容表现150ohm，会把VREF拉低，但拉高，以及拆除再焊上就OK的现象，可以考虑下是不是你生产过程中有异物/锡珠让分压电阻或者电容出现短路导致的，然后重新焊接，烙铁高温这个就恢复了？这个应该在你动烙铁之前测的，后面碰到可以测下。 然后就是你分压电阻上面的用大了吧，10K的，应该统一和下面一样用1K甚至几百ohm的。
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把电容拿去做厂家FA就好了啊， 看看是应力导致，还是本身质量不行。
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路过学习了，混点积分~新人来报到。专利翻译。
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路过学习了，混点积分~新人来报到
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2019-2-19 18:04:11
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