完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
电子发烧友论坛|
你好,
我的电机控制板与FOC i在VFQFPN封装的驱动器IC L6230Q中损耗非常高。 在高压侧接通时间内,我在操作电压(21V)和Motorphase输出电压之间的差值为2.6V。 (见图) 通道2(蓝色)= Opperating Voltage 通道1(黄色)=输出2 直接测量L230的引脚 另一个阶段是低(低侧开启),第三个阶段是开放(EN低) 使用热像仪,我可以看到芯片中的热点(> 100°C)。所以没有不好的焊接。 原理图等于数据表。 使用P-Nucleo IHM001,我没有这么高的损失。在这块主板上,L6230Q采用大型PowerSO36封装 任何想法? 谢谢 埃里克 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Hello, i our Motor Control Board with FOC i have very high losses in the Driver IC L6230Q in the VFQFPN package. In the On-Time of the High side i have a differenz of 2.6V between the Operatine Voltage (21V) and the Output Voltage on the Motorphase. (see picture) Channel 2 (blue) = Opperating Voltage Channel 1 (yellow) = Out 2 measured direktly on the pins of the L230 One of the other Phase is Low (Low-Side On) and the third one is Open (EN is low) With the thermo camera i can see hot points (>100°C) in the chip. so there is no bad soldering. The schematic is equal to the datasheet. With the P-Nucleo IHM001 i dont have this high losses. On this Board the L6230Q is in the big PowerSO36 Package Anyone ideas? Thank You Eric |
|
相关推荐
3个回答
|
|
|
你好,
你输出的电流是多少? 你检查过BOOT电压是否正常? 恩里科 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 Hello, How much is the current you are sinking from the output? Did you checked the BOOT voltage is ok? Enrico |
|
|
|
|
|
目前的水平低于1A
目前,驱动程序已损坏,我必须更换它。电荷泵不再工作,驱动器变得非常热。 其他主板上的另一个驱动程序有这个问题。但是它们比评估板损失更多,而且我们使用的旧驱动器损耗更多(L6229)。 我想找到故障,为什么有损失,发现2.6V。但是认为这只是这个问题的一个驱动因素。 我将使用L6229板和4pc L6230板来测量4pc板的Energie消耗量。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文 The current is under 1A Currently the Driver is broken and i have to replace it. The charge Pump doesnt work anymore and the Driver is getting very hot. The other Driver on the other boards doestn have this problem. But they have more losses then the eval board and more losses then the old driver we use (L6229). I wanted ti find the fault why there are mor losses and found the 2.6V. But think it was just one driver with this issue. I will measure the Energie consumption of 4pc boards with the L6229 board and 4pc of the L6230 Boards. |
|
|
|
|
|
确保损坏的电荷泵是高端MOSFET异常下降的根本原因。
以上来自于谷歌翻译 以下为原文 For sure the damaged charge pump is the root cause of the anomalous drop on the high side MOSFET. |
|
|
|
|
只有小组成员才能发言,加入小组>>
stm32mp157的异核通信的rpmsg_sdb的m4固件和a7驱动该如何编写?
1453 浏览 0 评论
stm32f103用freertos对一个采样率为1kHz的传感器,进行采样,数据出差
1502 浏览 0 评论
请教:在使用UDE STK时,单片机使用SPC560D30L1,在配置文件怎么设置或选择?里面只有SPC560D40的选项
3649 浏览 1 评论
3842 浏览 1 评论
请问是否有通过UART连接的两个微处理器之间实现双向值交换的方法?
2461 浏览 1 评论
STM32H7打开DCache后,出现了串口接收信息为空的现象,是哪里出了问题?
727浏览 5评论
用NANO STM32F103RBT6的开发板烧录不了是哪里出了问题?
661浏览 5评论
710浏览 5评论
外部中断触发类型为双边沿触发,进入中断回调后有什么办法判断该边沿是上升沿还是下降沿?
941浏览 5评论
STM32L071CBT6低温环境下无法正常工作是什么原因引起的?
745浏览 5评论
/9
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2025-12-2 01:22 , Processed in 0.947779 second(s), Total 77, Slave 60 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191

淘帖
639