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1.RAM仿真器仿真模式
[Linking...] "D:CCStudio_v3.3PLAC2000cgtoolsbincl2000" -@"Debug.lkf" "D:\CCStudio_v3.3PLA\MyProjects\Bidirectional DC-DC\AD Sample Test3_Calibration - IN\cmd\2809_RAM_lnk.cmd", line 119: error: run placement fails for object ".ebss", size 0x104a (page 1). Available ranges: DRAMH0 size: 0x1000 unused: 0xeb6 max hole: 0xeb6 warning: entry-point symbol other than "_c_int00" specified: "code_start" error: errors encountered during linking; "./Debug/AD Sample Test.out" not built >> Compilation failure DRAMH0 : origin = 0x3FB000, length = 0x001000 2.脱机模式 [Linking...] "D:CCStudio_v3.3PLAC2000cgtoolsbincl2000" -@"Debug.lkf" "D:\CCStudio_v3.3PLA\MyProjects\Bidirectional DC-DC\AD Sample Test3_Calibration - IN\cmd\F2809.cmd", line 132: error: run placement fails for object ".ebss", size 0x104a (page 1). Available ranges: RAML1 size: 0x1000 unused: 0x1000 max hole: 0x1000 warning: entry-point symbol other than "_c_int00" specified: "code_start" error: errors encountered during linking; "./Debug/AD Sample Test.out" not built >> Compilation failure RAML1 : origin = 0x009000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */ 发现2809在仿真或脱机运行时,上电的时候总会跑飞,总有按一下复位键才能正常运行.烦恼中... |
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