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尊敬的先生/女士,
我正在考虑S29 GL064 N11TFIV10。 Q. 在系统上有必要将写入处理设置为Flash ROM。 因此,我想知道“总写入缓冲程序时间”的最大值。 * 在S29 GL001GS/S29 GL512S/S29 GL256S/S29 GL128S的数据表中,“缓冲编程时间”的最大值列于第43页的表5.4中。 HTTP//OrgIn www. CyPress .COM/FIL/17797 6/下载 我想知道像这样的S29 GL0064 N的“总写入缓冲程序时间”的最大值。 最好的问候, 以上来自于百度翻译 以下为原文 Dear Sir/Madam, I am considering S29GL064N11TFIV10. Q. It is necessary to set the timeout for writing processing to Flash ROM on the system. Therefore, I would like to know the maximum value of "Total write buffer program time". * In the data sheet of S29GL01GS/S29GL512S/S29GL256S/S29GL128S, the maximum value of "Buffer Programming Time" is listed in Table 5.4 on page 43. [url=https://community.cypress.com/external-link.jspa?url=http%3A%2F%2Forigin-www.cypress.com%2Ffile%2F177976%2Fdownload]http://origin-www.cypress.com/file/177976/download[/url] I want to know the maximum value of "Total write buffer program time" of S29GL064N like this. Best Regards, |
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1个回答
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你好,
S29 GL064 N的总写入缓冲程序时间的最大值为1200μs。 请注意,此最大值未经测试,仅供参考。 当做, 纳达 以上来自于百度翻译 以下为原文 Hello, The max value of Total write buffer program time of S29GL064N is 1200μs. Note that this max value is not tested and only serve as your reference. Regards, Nada |
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