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失效分析和热点测试

2018-8-22 09:20:20 7641

0 微光显微镜 EMMI 热点测试 EMMI (Emission Microscopy)是用来做故障点定位、寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具。其具备高灵敏度的制冷式电荷(光)耦合组件(C-CCD)侦测器，可侦测组件中电子－电洞再结合时所发射出来的光子，其光波长在 350 nm ~ 1100 nm，此范围相当于可见光和红外光区。 EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。 EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况会产生亮点、热点(Hot Spot)的缺陷接面漏电(Junction Leakage) Contact Spiking 热电子效应(Hot Electrons) 闩锁效应(Latch-Up) 闸极氧化层缺陷或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N current) 多晶硅的细丝残留 (Poly-silicon Filaments) 硅基底损伤( Substrate Damage) 机械性损伤(Mechanical Damage) 及接面崩溃( Junction Avalanche)等原来就会有的亮点、热点(Hot Spot) 饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS) 动态式CMOS (Dynamic CMOS) 二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown) 侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short) 亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Junctions) 金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal) 1
2018-8-22 09:20:20　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 失效分析OBIRCH热点测试 13335 • CDM的测试与失效分析 8997 • 晶片验证测试及失效分析 1983 • 什么是失效分析？失效分析原理是什么？ 10766 • MOS管热阻测试失效分析 5205 • 芯片失效分析探针台测试 3821 • 晶片验证测试及失效分析pdf 61014 • 失效分析方法---PCB失效分析 3850 • 浅谈失效分析—失效分析流程 3281 • LED能效测试失效分析 696