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尊敬的ti专家,你们好!
当时搞C6678时,芯片的PTV15引脚并未重视,照抄过来,即将该引脚通过45.3欧电阻接地就算了。最近搞AM5K2E、66AK2H、TCI6636K2H时发现这些芯片的DDR3控制器有不同之处,即出现了DDRRZQ0、DDRRZQ1、DDRRZQ2和DDR3ARZQ0、DDR3ARZQ1、DDR3ARZQ2以及DDR3BRZQ0、DDR3BRZQ1、DDR3BRZQ2等引脚,查了不少资料包括JEDEC STANDARD JESD79-3E,目前还不知道这些引脚(包括C6678的PTV15)分别要接多大电阻,又为什么,有无具体参考资料?使我们更加感到迷惑的是DDR3存储器本身的ZQ引脚已经经电阻接地。为此事我们已经在5000那里发了帖子,让我们转到C6000,请支持。 谢谢! |
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4个回答
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请参见设计文档《DDR3 Design Requirements for KeyStone Devices》中ZQ calibration章节中有描述
Texas Instruments requires the use of dedicated ZQ resistor (240) to be connected to each SDRAM ZQ pin (cannot share pins). |
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liuqin123 发表于 2018-6-21 05:17 谢谢!这个问题有两个方面,一方面是DSP侧,另一方面是DDR3存储器侧。存储器侧我们已经搞明白,也有很多资料。我们现在不清楚的是DSP侧,DSP侧的引脚包括C6678的PTV15,AM5K2E的DDRRZQ0、DDRRZQ1和DDRRZQ2,66AK2H及TCI6636K2H的DDR3ARZQ0、DDR3ARZQ1、DDR3ARZQ2、DDR3BRZQ0、DDR3BRZQ1和DDR3BRZQ2等这些引脚经多大电阻接地,为什么?有何资料参考,还请专家指导。 |
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liuqin123 发表于 2018-6-21 05:17 我们问的是DSP一侧,您答复的是DDR3存储器一侧,DSP一侧的问题没解决,我们有点着急,请专家指导。 |
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在另一贴中 已经答复 |
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