海飞乐650VIGBT模块替换VS-GT120DA65U现货参数资料

2017-11-28 18:06:54 1330 IGBT模块

0 ` IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。优点： 1)直接降低关断瞬间浪涌电压，波形平滑 2)吸收电路功耗低 3)适用于中功率场合缺点： 1)对电容C和二极管的反向恢复特性要求都较高 2)吸收电路存在较高电感 3)须注意RC时间常数设计 650VIGBT模块VS-GT120DA65U现货参数产品种类: IGBT 晶体管制造商: Vishay 封装 / 箱体: SOT-227-4 安装风格: SMD/SMT 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V 栅极/发射极最大电压: 20 V 在25 C的连续集电极电流: 167 A Pd-功率耗散: 577 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 175 C 商标: Vishay Semiconductors 集电极最大连续电流 Ic: 167 A 栅极—射极漏泄电流: 660 nA 工厂包装数量: 160 海飞乐技术igbt模块可完全替换该产品在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2017-11-28 18:06:54　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SK场效应管 430 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SIC场效应管 623 • 海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管 460 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管 805 • 海飞乐技术现货替换IXTH80N65X2场效应管 1518 • 海飞乐技术现货替换IXTH62N65X2场效应管 559 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N25X3场效应管 495 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管 819 • 海飞乐技术现货替换IXFN100N65X2场效应管 412 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 660