DIP5封装可控硅光耦TLP665JF现货供应东芝TLP665J(D4,S,C,F)

2017-8-21 10:33:03 1660

0 ` 东芝光敏可控硅光耦合器TLP665J（S）,TLP665JF应用于○办公设备○家用电器○三端双向可控硅驱动○固态继电器 TLP665J（S）,TLP665JF是一个三端双向可控硅和红外发射的光耦合到6PIN DIP封装。 DIP5封装可控硅光耦TLP665JF现货供应东芝TLP665J(D4,S,C,F)主要性能参数：阻塞电压：600V（最小值）触发LED电流：10毫安（最大值）有效的通态电流100mA（最大）UL认证：UL1577，文件号E67349BSI批准：BS EN60065：2002，认证第8385 BS EN60950-1：2002，认证号8386SEMCO批准：EN60065，EN60950-1，EN60335-1认证No.708960绝缘强度：5000Vrms（最小值）选项（D4）类型VDE认证： DIN EN 60747-5-2认证号40009302最大允许工作绝缘电压：890 V峰值最大容量过电压：8000 V峰值注：EN60747-5-2 如果你想选购一个认证的产品是“选项（D4）”，请注明。结构参数7.62毫米间距标准型TLP665J（S）,TLP665JF 10.16毫米间距TLPXXXF类型爬电距离间隙绝缘厚度 7.0毫米（小）7.0毫米（小）0.5毫米（小） 8.0毫米（小）8.0毫米（小）0.5毫米（小） DIP5封装可控硅光耦TLP665JF现货供应东芝TLP665J(D4,S,C,F)绝对大额定值（TA = 25℃）正向电流IF50毫安直流正向电流降低率（钽≧53℃）ΔIF/℃-0.7毫安/℃脉冲正向电流（100μs的脉冲，100pps）IFP 1直流反向电压VR 5 V 对电流衰减率有效（大≧25℃）ΔIT/℃-1.1毫安/℃ 脉冲电流（100μs的脉搏，120pps）ITP 2将Senatama一个周期浪涌电流（PW = 10ms）的ITSM 1.2 TLP665J（S）,TLP665JF在结温TJ 115℃的工作温度范围Topr -40〜100℃贮存温度Tstg -55〜125℃，焊接目的（10秒）T溶胶温度只有260℃。隔离电压（AC，1分钟，相对湿度≦60％）（注1）BVS 5000 Vrms的 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2017-8-21 10:33:03　　评论淘帖0 举报相关推荐 • TLP260J可控硅输出光耦 2459 • 东芝可控硅输出光耦TLP560J 5791 • TLP265J，TLP266J 小贴片SOP封装双向可控硅输出光耦 77 • 东芝现货供应耐高压达林顿输出光耦TLP127 TLP187 TLP627 3353 • 2mA低输入电流型可控硅光耦TLP267,TLP268J参数及应用 25 • 单通道过零触发可控硅输出光耦TLP166J,TLP168J,TLP266J 6786 • 东芝光耦DIP4封装规则 5182 • 东芝的光耦TLP785 4355 • 东芝光耦DIP4封装包装规格 2477 • TLP160J TLP260J TLP525G双向可控晶片的光耦应用实例 3814