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如附件图片，采用保险丝，压敏电阻，半波整流贴片M7，400V33UF电容。雷击共模与差模都是4KV，差模测试时产品损坏，400V33UF电容鼓包，M7击穿，MOS短路了,过流电阻损坏，保险丝没有损坏，压敏也还是OK的。我司研发经理说是电容耐压不符合规格，在雷击时电容鼓包后再损坏M7及后的元件；但是我认为是M7先击穿，再使电容鼓包再损坏后面的MOS和过流电阻等。
有没有了解这个情况或是碰到过类似问题的，这个最根本的原因是什么造成的。 
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