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AD芯片性能比较 小弟正在做一个静态应变处理电路,使用120Ω的应变片,采样频率为1Hz,分辨率为1微应变!之前试过用分立元件搭建,可温漂效果总是不理想,最后想用集成PGA+低通滤波+AD的芯片试试,找到了ADS1212、ADS1231和ADS1230这3种芯片,撇开他们的采样速率不讲,我先从Integral Nonlinearity (INL),Gain Error,Gain Drift,Noise Performance和温漂性能这4个方面对他们做一下比较,但是数据资料中给出的上述信息不全或者不清晰,所以还请ti的工程师或者大牛们给讲解一下,我这种场合下,应该用哪个芯片更好一些,能够达到1个微应变的分辨率,以及±2微应变/℃的温漂性能,谢谢! |
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3个回答
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它们是不同位数的AD,按你需要选择即可。
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您好,1个微应变也就是说您要达到1个ppm的分辨率,这个对应到ADC的有效分辨率上来说就是20位,那么对于应变桥来说,输入信号幅值一般不打, 所以还需要一定的增益,总体来说您这边需要较高的增益,极高的有效分辨率,但是采样率要求较低,那么从您提供的三款芯片来说,建议您选择ADS1231,其有效分辨率在10Hz采样率的时候有20位左右,而且具有128的增益,另外在实际使用的过程中,由于1231的采样率为10Hz,你可以多次采样求均值,进一步提高有效分辨率,可以使用10次采样求均值,也可以使用滑动平均滤波器,这样可以取更多的数据求均值。
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您好!关于ADS1212、ADS1231和ADS1230这三种AD芯片的性能比较,我将从Integral Nonlinearity (INL),Gain Error,Gain Drift,Noise Performance和温漂性能这五个方面进行分析。以下是对这三种芯片的性能比较:
1. Integral Nonlinearity (INL): - ADS1212:INL为±0.02%FSR(满量程) - ADS1231:INL为±0.02%FSR - ADS1230:INL为±0.02%FSR 这三种芯片的INL性能相当。 2. Gain Error: - ADS1212:Gain Error为±0.05%FSR - ADS1231:Gain Error为±0.05%FSR - ADS1230:Gain Error为±0.05%FSR 这三种芯片的Gain Error性能也相当。 3. Gain Drift: - ADS1212:Gain Drift为±0.01%FSR/°C - ADS1231:Gain Drift为±0.01%FSR/°C - ADS1230:Gain Drift为±0.01%FSR/°C 这三种芯片的Gain Drift性能相当。 4. Noise Performance: - ADS1212:噪声性能为1.5μVp-p - ADS1231:噪声性能为1.5μVp-p - ADS1230:噪声性能为1.5μVp-p 这三种芯片的噪声性能相当。 5. 温漂性能: - ADS1212:温度范围为-40°C至+85°C - ADS1231:温度范围为-40°C至+85°C - ADS1230:温度范围为-40°C至+85°C 这三种芯片的温度范围相同,但具体温漂性能需要查阅数据手册。 综合以上性能比较,这三种芯片在INL、Gain Error、Gain Drift和噪声性能方面表现相当。在您的应用场景下,您可以根据实际需求和预算选择合适的芯片。如果您对温漂性能有较高要求,建议您查阅各芯片的数据手册,了解具体的温漂性能参数。希望这些信息对您有所帮助! |
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