STM32写入Flash不正常的原因？

我参考原子的战舰开发板


使用实验34 FLASH模拟EEPROM实验的Flash写操作函数 STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
从0x08003000开始写入数据，一次写入200个字节，刚开始写入正常，但是当起始地址为0x080033e8的时候，再写入200个字节时，从0x08003400开始就再也写不进去了，   

这是为什么， 我的芯片是STM32F103RBT6

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下面是我的一部分代码
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;           //扇区地址
u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)           
         u16 i;   
u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock();         //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;         //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;         //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;         //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;         //扇区剩余空间大小   
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}         
};
FLASH_Lock();//上锁
}




其中
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{                                          
        u16 i;
        for(i=0;i

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