STM32H743 flash read进入hardfault的原因，如何解决？

使用STM32H743VIT6芯片时，系统时钟为400MHz，从片上Flash读取数据时，有时会进入hardfault。对flash全部擦除后再次下载后，从片上Flash读取数据恢复正常。有没有大牛知道该如何解决这个问题？这是芯片本身的bug吗？

系统时钟配置如下：
//时钟设置函数
//Fvco=Fs*(plln/pllm);
//Fsys=Fvco/pllp=Fs*(plln/(pllm*pllp));
//Fq=Fvco/pllq=Fs*(plln/(pllm*pllq));

//Fvco:VCO频率
//Fsys:系统时钟频率,也是PLL1的p分频输出时钟频率
//Fq：PLL1的q分频输出时钟频率
//Fs：PLL输入时钟频率,可以是HSI,CSI,HSE等.

//plln：PLL1倍频系数(PLL倍频),取值范围:4~512.
//pllm：PLL1预分频系数(进PLL之前的分频),取值范围:2~63.
//pllp：PLL1的p分频系数(PLL之后的分频),分频后作为系统时钟,取值范围:2~128.(且必须是2的倍数)
//pllq：PLL1的q分频系数(PLL之后的分频),取值范围:1~128.

//CPU频率(rcc_c_ck)=sys_d1cpre_ck=400Mhz
//rcc_aclk=rcc_hclk3=200Mhz
//AHB1/2/3/4(rcc_hclk1/2/3/4)=200Mhz  
//APB1/2/3/4(rcc_pclk1/2/3/4)=100Mhz  
//FMC时钟频率=pll2_r_ck=((25/25)*512/2)=256Mhz

//外部晶振为25M的时候,推荐值:plln=160,pllm=5,pllp=2,pllq=2.
//得到:Fvco=25*(160/5)=800Mhz
//     Fsys=800/2=400Mhz
//     Fq=800/2=400Mhz
//外部晶振为16M的时候,推荐值:plln=250,pllm=5,pllp=2,pllq=2.
//得到:Fvco=16*(250/5)=800Mhz
//     Fsys=800/2=400Mhz
//     Fq=800/2=400Mhz
//返回值:0,成功;1,失败。
void Stm32_Clock_Init(u32 plln,u32 pllm,u32 pllp,u32 pllq)
{
        HAL_StatusTypeDef ret=HAL_OK;
        RCC_ClkInitTypeDef RCC_ClkInitStruct;
        RCC_OscInitTypeDef RCC_OscInitStruct;
  RCC_PeriphCLKInitTypeDef periphClkInitStruct;
        
        MODIFY_REG(PWR->CR3,PWR_CR3_SCUEN, 0);
        __HAL_PWR_VOLTAGESCALING_CONFIG(PWR_REGULATOR_VOLTAGE_SCALE1);

        while ((PWR->D3CR   (PWR_D3CR_VOSRDY)) != PWR_D3CR_VOSRDY) {}

        RCC_OscInitStruct.OscillatorType=RCC_OSCILLATORTYPE_HSE;
        RCC_OscInitStruct.HSEState=RCC_HSE_ON;
        RCC_OscInitStruct.HSIState=RCC_HSI_OFF;
        RCC_OscInitStruct.CSIState=RCC_CSI_OFF;
        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLState=RCC_PLL_ON;
        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLSource=RCC_PLLSOURCE_HSE;

        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLN=plln;
        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLM=pllm;
        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLP=pllp;
        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLQ=pllq;

        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLVCOSEL = RCC_PLL1VCOWIDE;
        RCC_OscInitStruct.PLL.PLLRGE = RCC_PLL1VCIRANGE_2;
        ret=HAL_RCC_OscConfig( RCC_OscInitStruct);
        if(ret!=HAL_OK) while(1);
//选中 PLL 作为系统时钟源并且配置 HCLK,PCLK1、 PCLK2、 PCLK3 和 PCLK4  
        RCC_ClkInitStruct.ClockType=(RCC_CLOCKTYPE_SYSCLK|
                                RCC_CLOCKTYPE_HCLK |
                                RCC_CLOCKTYPE_D1PCLK1 |
                                RCC_CLOCKTYPE_PCLK1 |
                                RCC_CLOCKTYPE_PCLK2 |
                                RCC_CLOCKTYPE_D3PCLK1);

        RCC_ClkInitStruct.SYSCLKSource=RCC_SYSCLKSOURCE_PLLCLK;//系统时钟源 PLL
        RCC_ClkInitStruct.SYSCLKDivider=RCC_SYSCLK_DIV1;//SYSCLK 分频系数 1
        RCC_ClkInitStruct.AHBCLKDivider=RCC_HCLK_DIV2;//AHB 分频系数 2
        RCC_ClkInitStruct.APB1CLKDivider=RCC_APB1_DIV2;//APB1 分频系数 2
        RCC_ClkInitStruct.APB2CLKDivider=RCC_APB2_DIV2;//APB2 分频系数 2
        RCC_ClkInitStruct.APB3CLKDivider=RCC_APB3_DIV2;//APB3 分频系数 2  
        RCC_ClkInitStruct.APB4CLKDivider=RCC_APB4_DIV2;//APB4 分频系数 2
/*ST 官方例程使用的就是 4 个 WS， 其实大于 2 个 WS 都可以(最大不
        能超过 7 个 WS)，延时越久越稳定，但是肯定影响性能        */
        FLASH->ACR  = ~FLASH_ACR_WRHIGHFREQ_Msk;
        FLASH->ACR |= FLASH_ACR_WRHIGHFREQ_2;//rcc_aclk 设置的是 200Mhz，设置 WRHIGHFREQ[1:0]=10 即可
        ret=HAL_RCC_ClockConfig( RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_4);
        if(ret!=HAL_OK) while(1);
        
//设置SPI1的时钟源
        periphClkInitStruct.PeriphClockSelection=RCC_PERIPHCLK_SPI1 | RCC_PERIPHCLK_SPI3 | RCC_PERIPHCLK_SPI6;            //设置SPI1 、 SPI3、SPI6时钟源
        periphClkInitStruct.Spi123ClockSelection=RCC_SPI123CLKSOURCE_PLL;        //SPI1时钟源使用PLL1Q
        periphClkInitStruct.Spi6ClockSelection =RCC_SPI6CLKSOURCE_D3PCLK1;        //SPI6时钟源使用PCLK4 100MHz
       ret=HAL_RCCEx_PeriphCLKConfig( periphClkInitStruct);
        if(ret!=HAL_OK) while(1);

        __HAL_RCC_CSI_ENABLE() ;
        __HAL_RCC_SYSCFG_CLK_ENABLE() ;  
        HAL_EnableCompensationCell();
}


flash 读写函数具体如下：
#include "hal_flash.h"
//读取指定地址的字(32 位数据)
//addr:读地址
//返回值:对应数据
uint32_t HAL_FLASH_ReadWord(uint32_t addr)
{
        uint32_t value = 0;
        value = *(__IO uint32_t*)addr;//此处进入hardfault，传入的地址为0x08060000
        return value;
}

uint16_t HAL_FLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
        if(addr= ADDR_FLASH_BANK1_START    addr <= ADDR_FLASH_BANK1_END)
                return FLASH_BANK_1;
        else if(addr >= ADDR_FLASH_BANK2_START    addr <= ADDR_FLASH_BANK2_END)
                return FLASH_BANK_2;
        else
                return 0;
}

uint32_t HAL_FLASH_EraseSector(uint32_t addr)//擦除片区
{
        FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
        uint32_t SectorError=0;
        uint8_t FLASH_BANK = 0;
        FLASH_BANK = HAL_FLASH_GetFlashBank(addr); //操作 BANK
        FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型
        FlashEraseInit.Sector=HAL_FLASH_GetFlashSector(addr);//要擦除的扇区
        FlashEraseInit.Banks= FLASH_BANK;
        FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
        FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围
        if(HAL_FLASHEx_Erase( FlashEraseInit, SectorError)!=HAL_OK)
        {
                return 1; //发生错误了
        }
        SCB_CleanInvalidateDCache(); //清除无效的 D-C
        return 0;
}

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为 STM32H7 的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
// 写地址如果非 0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
// 写非 0XFF 的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对 OTP 区域也有效!可以用来写 OTP 区!
//OTP 区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为 4 的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32 位)数(就是要写入的 32 位数据的个数.)
void HAL_FLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite)
{
        FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
        HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
        uint32_t SectorError=0;
        uint32_t addrx=0;
        uint32_t endaddr=0;
        uint8_t FLASH_BANK = 0;
        if(WriteAddr