[问答]

MOS开关损耗，计算值和datasheet给定值差异很大是什么原因？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 SCTWA40N120G2AG型号SiC MOS，按照datasheet上给定的条件，按照开关过程计算，Eon约为127uJ，Eoff约为164uJ。开关过程计算方法：Eon=0.5VDDID（t1+t2），其中t1是门极电压从门槛电压上升到米勒平台时间，t2是米勒平台持续时间；Eoff=0.5VDDID（t3+t4），其中t3是米勒平台持续时间，t4是门极电压从米勒平台下降到门槛电压时间。而且从datasheet中给定的下降时间来看，关断损耗也不止datasheet中的Eoff值。计算值和给定值为什么会有这么大的差异？ 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-4-3 15:08 审核通过
2024-4-3 06:35:37　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答储蓄叛逆该类别下有 32 个回答。邀请回答尼克wo 该类别下有 32 个回答。邀请回答举报李舒桀相关推荐 • MOS开关损耗计算 6535 • MOS管的开关损耗和自身那些参数有关？ 5731 • 如何计算开关MOS的损耗 2134 • 如何更加深入理解MOSFET开关损耗？ 2964 • 如何计算MOS管的损耗？ 1240 • d类功放的损耗过大，请问设计上有什么问题？ 3092 • IGBT损耗有什么计算方法？ 7278 • 如何计算电源方案的耗散功率？ 2382 • 功率器件热损耗计算和选型要求 4982 • 直流/直流稳压器部件的开关损耗 2152 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 驱动设计是否按照手册来的？有可能驱动未设计好，损耗增大

2024-4-3 11:19:04 评论举报王萍

答案对人有帮助，有参考价值 0 有几个可能的原因导致计算值和datasheet给定值之间的差异很大： 1. 数据表中给定的条件可能不符合实际应用中的实际情况。数据表通常给出一些标准条件下的损耗值，例如特定的电压、电流和温度等。如果实际应用中的条件与数据表中给定的条件不一致，则计算值和给定值之间的差异将会很大。 2. 计算方法中使用的参数可能存在误差。计算方法中使用的参数，如门极电压上升时间、米勒平台持续时间等，可能无法准确地测量或估算。如果这些参数的估计值与实际值有较大偏差，那么计算值和给定值之间的差异也会很大。 3. MOS开关损耗受到其他因素的影响。除了计算方法中考虑的因素外，还可能有其他因素对MOS开关损耗产生影响，例如电源纹波、电压/电流噪声等。如果这些因素未在计算方法中考虑，那么计算值和给定值之间的差异也会很大。为了减小计算值和给定值之间的差异，可以尝试以下方法： 1. 确保计算方法中使用的参数尽可能准确。使用准确的测量方法来测量或估算参数值，以减小参数误差对计算结果的影响。 2. 根据实际应用条件进行修正。如果实际应用中的条件与数据表中给定的条件不一致，可以根据实际条件对计算结果进行修正。 3. 考虑其他因素的影响。在计算方法中考虑其他可能影响MOS开关损耗的因素，以更准确地估计损耗值。 4. 进一步验证。除了计算方法和数据表给定值外，可以通过实际测试来验证和确认MOS开关损耗的值。这样可以获得更准确的损耗值，并与计算值和给定值进行比较，以进一步理解差异的原因。

2024-4-3 15:39:58 评论举报一瞅一个准