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出现4次写使能的原因是FMC的写操作需要进行预充电和关闭操作。
在FMC的写操作中,首先需要进行预充电操作,将数据写入FIFO缓冲区,并将写使能信号进行一次使能。然后,需要进行关闭操作,将数据从FIFO缓冲区写入SRAM存储器,并将写使能信号进行一次使能。最后,需要进行两次关闭操作,分别将写使能信号进行两次禁能。 因此,一次写操作会触发4次写使能信号的改变。 要修改这种情况,可以使用FIFO缓冲区来存储写入的数据,然后再将数据一次性写入SRAM存储器,从而减少写使能信号的改变次数。 |
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