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600 - 650V MDmesh DM9快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性

2023-9-8 06:00:53 241 MOSFET

0 这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。 0 【宣传册】600 - 650 V MDmesh DM9：快速恢复 SJ 功率 MOSFET 提高了效率和稳健性.pdf 453 Bytes , 下载次数: 0
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