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` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2020-5-6 08:47 编辑 该功率MOSFET使用Truesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。 这项先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。 推荐产品：TSD5N65M；TSU5N65M；TSD5N50MR；TSD5N60M Truesemi 其它相关产品请 点击此处 了解 特性：
应用： 高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正 `
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