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编辑：ll 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的10N60 MOS管 ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了10N60的最大漏源电流10A，漏源击穿电压600V. •细节体现差距 10N60,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。 10N60具体参数为：最大漏源电流：10A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220 
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