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编辑-Z MOS管7N60一般为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,或金属-绝缘体-半导体。MOS管7N60的源极(source)和漏极(drain)是可以对调的,都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下,这两个区域是相同的,即使两端接反也不会影响器件的性能,7N60这种器件被认为是对称的。 7N60参数描述 型号:7N60 封装:TO-220 特性:高效MOS管 电性参数:7A 600V 连续二极管正向电流(IS):7A 脉冲二极管正向电流(ISM):28A 漏源电压(VDSS):600V 二极管正向电压(VSD):1.5V 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 反向恢复时间(trr):648NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 场效应管7N60通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。事实上,没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流很小。最常见的 FET 使用二氧化硅薄层作为 GATE 极下的绝缘体。这种类型的晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管,或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。由于MOS管7N60更小、更节能,因此在许多应用中已取代双极型晶体管。 MOS管7N60优势: 1、可应用于放大。由于场效应管7N60放大器的输入阻抗很高,耦合电容可以有更小的容量,不必使用电解电容。 2、非常高的输入阻抗很适合做阻抗转换。7N60常用于多级放大器输入级的阻抗转换。 3、可用作可变电阻器。 4、可方便地作为恒流源使用。 5、可作为电子开关使用。 6、电路设计灵活性大。栅极偏压可正可负或为零,三极管只能在正偏压下工作,电子管只能在负偏压下工作。另外7N60输入阻抗高,可以减少信号源的负载,容易与前级匹配。 |
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