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在应用笔记 an4974 中,ST 推荐了大约 16-20 欧姆的匹配阻抗,这部分是合理且完全有意义的。
在我的配置中,我使用 AAT 差分。根据应用说明,目标阻抗应位于环路底部,靠近实轴(同样,这部分有意义)但不在最靠近实轴(具有最小虚部)的点. 我已经看到了各种匹配建议,主要是循环以实轴为中心,或者循环低于实轴,匹配点位于实轴最左侧的交叉点。这是因为当您出示标签时,匹配点将顺时针移动。如果你在环路的中心,那么这种转变会降低你的阻抗。如果环路在实轴下方并且您在左侧交叉处匹配,则当您将卡移近天线时顺时针移动会增加阻抗。 为什么 ST 建议将循环放在实轴上方并将匹配点设置为靠近循环底部的点。另外,我假设这个匹配点不包括 AAT 阻抗(因为它是在芯片关闭的情况下测量的,因此 AAT 不在电路中) 将卡片放入场中会顺时针移动匹配点,从而降低阻抗。通过 AAT 添加电容也有同样的作用。这似乎适得其反。 |
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1个回答
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一般来说,我们应该尝试接近真实轴的匹配。这意味着我们阅读器的 MOS 晶体管中的电流和电压是同相的。
匹配阻抗是我们调整传输到匹配网络的功耗和功率的主要参数。在某些情况下,Z=15Ohm 和 Z=20Ohm 之间的读取距离只有一点点差异。对于普通阅读器(例如访问控制),可能不需要调谐到 Z=15Ohm 并驱动最大允许驱动电流。 其他应用,如 EMVCo 或暴露在金属环境中的阅读器(汽车中控台阅读器)可能需要挤出最后一毫瓦的功率才能达到读取范围要求或覆盖一个没有读取孔的体积。 使用我们的发现板上显示的调整,可以更容易地实现这两个用例。 查看 3916(B),在这里将读取器调谐到 Z~8.5Ohm 要容易得多。 组件和制造公差随后又增加了复杂性。 拥有一个非常小的共振环路(在史密斯图表中)并具有所有这些变化并在不同设备上实现恒定的性能可能会变得很复杂。 |
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