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本文档是关于基于ARM® Cortex®-M0+ 内核进阶型的超低功耗 单片机 STM32L011x3,STM32L011x4的 数据手册。
特征: 超低功率片状 一1.65V至3.6V电源 -40至125摄氏度的温度范围 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚) 0.29μA停止模式(16条唤醒线) 0.54μA停止模式+rtc+2KB内存 固位 运行模式下降至76μA/MHz 5μ的唤醒时间(从Flash内存) 41μA 12位模数转换器10 KSPS 核心:ARM 832位Cortex-M0+ -从32千赫至最大32兆赫。 -0.95 DMIPS/MHz 重置和供应管理 一超安全低功耗BOR(通电复位) 有5个可选择的阈值 -超低功率POR/PDR 可编程电压检测器(PVD) 时钟源 0到32 MHz外部时钟 -32 kHz RTC振荡器的校准 一高速内部16 mhz工厂修剪RC (+/-1%) -INTEMAL低功耗37 kHz RC -国际多速低功耗65千赫至 4.2 MHz RC CPU时钟锁相环
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