如何用集成驱动器优化氮化镓性能

2022-11-16 06:23:29 853 驱动器 GaN

0 导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能简介氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。正是由于这些特性，GaN FET可以实现更高的开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术… 0 用集成驱动器优化氮化镓性能.pdf 433.58 KB , 下载次数: 10
举报淘帖0 只看该作者最近下载过的用户(7) 相关推荐 • 有关氮化镓半导体的常见错误观念 22679 • 氮化镓(GaN)功率集成电路集成和应用 1508 • 什么是氮化镓功率芯片？ 1406 • 为什么氮化镓比硅更好？ 1679 • 为什么氮化镓(GaN)很重要？ 1513 • 什么是氮化镓功率芯片？ 2231 • SW1106集成氮化镓直驱的高频准谐振模式反激控制器 1224 • 集成氮化镓直驱的高频准谐振模式反激控制器 986 • 高压氮化镓的未来分析 784 • 氮化镓充电器 4359