氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理极限。而上限更高的氮化镓,可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一,自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加,采用氮化镓技术除了能满足能量需求,还可以有效降低碳排放。事实上,氮化镓的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40% 的能源浪费,相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。
氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现,制造一颗片氮化镓功率芯片,可以在生产制造环节减少80% 化学物及能源损耗,此外还能,再加上节省超过 50% 的包装材料,那氮化镓的环保优势,将远远大于传统慢速比低速硅材料。
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