60V FemtoFET MOSFET缩小元件占位面积的方法

2022-11-16 07:06:25 286 MOSFET 负载开关

0 在中国深圳，我最近遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“你碰巧在你的设计中用过60V的负载开关吗？”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形尺寸晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看ti新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积5mm × 0.8mm (1.2mm2) （参见图1），是专为诸如信息娱乐系统等空间受限的应用情况设计的。图1：CSD18541F5l与网格阵列封装相比您的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封装（参见图2… 0 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积.pdf 162.81 KB , 下载次数: 0
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