三相独立半桥驱动芯片，EG2123A

1. 特性

 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 260V

 集成三路独立半桥驱动

 适应 5V、3.3V 输入电压

 最高频率支持 500KHZ

 低端 VCC 电压范围 7V-20V

 输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A

 VCC 和 VB 带欠压保护

 内建死区控制电路

 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

 HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出

 LIN �

����输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出

 封装形式：TSSOP20 和 QFN20

 无铅无卤符合 RHOS 标准

2. 描述

EG2123A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2123A 高端的工作电压可达 260V，低端 VCC 的电源电压范围宽 7V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO +0.8A/-1.2A，采用 TSSOP20 和 QFN20 封装。

3. 应用领域

 三相直流无刷电机驱动器

8.3 自举电路

EG2123A 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。EG2123A 可以使用外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、上管关断期间VC 自举电容已充到足够的电压（VC=VCC），当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时，VC 自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源，完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。
自举电容 VC PCB 布局尽量靠近芯片的 VB 脚跟 VS 脚，自举电容可以选择瓷片电容或者电解电容，最小容值可按以下公式计算：

其中：Qg 为高压侧 MOS 管的栅极电荷；

Qperiod 为每个周期中电平转换电路的电荷要求，约为 5nC；

Ibso 为高压侧驱动电路打开时的静态电流；

Ibsc 为自举电容的漏电流；

F 为电路工作频率；

Vcc 为低端电源电压；

VF 为自举二极管的正向压降；

Vds 为 MOS 管需要彻底打开的 GS 电压。