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美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，预计于2010年中量产，竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技术；美光NAND Flash营销总监Kevin Killbuck指出，随着内嵌式应用兴起，除eMMC之外，美光也将推出EZ-NAND应用，瞄准可携式产品和消费性电子，未来NAND Flash技术更将演进至Sub-25奈米和10奈米制程，并发展CTF架构技术。
在2006~2007期间，三星电子和东芝(Toshiba)分别处于技术领先的地位，美光和英特尔(Intel)的IM Flash是在2009年正式量产34奈米制程技术后，才一举追赶过竞争对手，勇夺NAND Flash市场技术领先的桂冠，自此之后，美光和英特尔都处于领先的地位。美光的NAND Flash技术演进分别是最早实验室阶段的90奈米、72奈米、50奈米、34奈米，直到目前最新的25奈米制程，中间分别跳过60奈米和40奈米世代。而随着美光推出25奈米制程，三星和海力士也分别拿出27奈米和26奈米技术应战，未来NAND Flash大厂技术之战，在20奈米世代将更加激烈。。
根据美光的技术蓝图规画，在25奈米制程技术以下，美光分为2组技术进行，一是Sub-25奈米，另一是10奈米制程技术，其中Sub-25奈米制程预计2011年量产，但也要视10奈米制程技术的进度，而随时调整Sub-25奈米技术的进度，因为10奈米制程以下技术对于半导体业者是相当艰巨的挑战。
目前NAND Flash技术都是采用浮闸架构(floating-gate structure)架构，但到了10奈米制程世代后，浮闸架构技术面临非常大的挑战，多家NAND Flash大厂改用电荷撷取闪存(Charge Trap Flash；CTF)技术，但目前仅止于研发阶段。此外，3D Flash技术也是未来的趋势之一。而东芝和三星都趋之若鹜的3-bit-per-cell架构的TLC技术，Killbuck则表示，美光的TLC产品会在2010年第4季才问世，因为美光在34奈米和25奈米MLC(Multi-Level-Cell)技术上，成本结构竞争力足以媲美对手30奈米制程TLC技术，因此并没有转进TLC技术的急迫性。
在NAND Flash应用方面，Killbuck表示，美光未来枪积极推广eMMC和EZ-NAND应用，其中随着ONFI组织推出EZ-NAND架构后，美光也将跟进。根据EZ-NAND架构是零ECC的设计，解除控制芯片不断要求ECC要进步的负担，ONFI 3.0规格和对于EZ-NAND的支持，可望于2010年中出炉，未来EZ-NAND应用将以可携式消费性电子产品为主。
NAND Flash芯片已取代DVD成为储存媒介的主流，8GB内存可储存2,000首歌、7,000张照片或8小时的动态影像。在eMMC方面，目前美光有34奈米制程技术的eMMC产品，2010年出也将会推出25奈米制程的eMMC产品，未来将应用在手机和卫星导航系统等领域。