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美系内存大厂美光(Micron)在购并NOR Flash龙头大厂恒忆(Numonyx)之后,加入2项重要产品线,分别为NOR Flash产品线和相变化内存(Phase Change Memory;PCM),未来美光的产品线完整度直逼南韩龙头大厂三星电子(Samsung Electronics),涵盖DRAM、NAND Flash、NOR Flash、eMMC、PCM和SD卡等,从上游到下游一条鞭相当齐全。 美光在全球DRAM市场市占率位居第4,与三哥尔必达(Elpida)之间竞争相当激烈;而在NAND Flash市场上,美光与英特尔(Intel)合资成立IM Flash,让此阵营的NAND Flash技术领先,2009年美光全球NAND Flash市占率首度赶过南韩的海力士(Hynix),跻身全球前3名,尤其是和合作伙伴英特尔合计,市占率超过15%。 美光在NAND Flash市场上突围,主要是拜2009年34奈米制程领先所赐,2010年再度领先宣布年中量产25奈米制程,成本竞争力促使美光市占率提升。美光在技术蓝图演进上,分别为90奈米、72奈米、50奈米、34奈米,直到最新的25奈米制程,中间跳过60奈米和40奈米世代。恒忆2009年受惠飞索(Spansion)破产的效应,登上全球NOR Flash龙头宝座,在合并恒忆后,美光可望接手恒忆既有的客户族群,持续维持龙头殊荣。再者在下世代内存技术PCM上,美光原本并未开发PCM技术,但受惠恒忆和英特尔钻研此领域许久,未来美光可顺势接收恒忆的PCM技术,拉近与三星的竞争距离。 MT29E2T08CTCCBJ7-6:C MT29E1T08CUCCBH8-6:C MT29F1T08CUECBH8-12:C MT29F1T08CUCBBH8-6R:B MT29F1T08CUCCBH8-6R:C MT29E512G08CMCCBH7-6:C MT29E512G08CKCCBH7-6:C MT29F512G08CKCCBH7-6R:C MT29F512G08CMCCBH7-6R:C MT29F512G08CKECBH7-12:C MT29F512G08CMECBH7-12:C MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D MT29F512G08CMCBBH7-6R:B MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A MT29F512G08CUCABH3-10Z:A MT29E256G08CECCBH6-6:C MT29F256G08CECBBH6-6R:B MT29F256G08CJABBWP-12IT:B MT29F256G08CECCBH6-6R:C MT29F256G08CJAAAWP-Z:A MT29F256G08CMCABH2-12Z:A MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A MT29F256G08CEECBH6-12:C |
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