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Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产,这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下,并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米,每单位容量2bit,总容量8GB,相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番,内核面积却小了十分之一。 Intel NAND闪存业务市场经理Troy Winslow打了个比方:新闪存以不超过CD光盘中间孔的大小存储了十倍于光盘容量的数据。对于目前闪存设备容量偏小、使用寿命有限的问题,美光NAND闪存业务市场经理Kevin Kilbuck声称,他们将在几个月内发布新型固态硬盘,初步解决这些问题。 三星宣布将在今年第二季度投产27nm NAND闪存,海力士也已经宣布了26nm NAND闪存,不过Troy Winslow表示:“我们相信Intel、美光的领先优势即使没有9-12个月,也有5个月。Mosesmann指出,美光主管阶层9日于奥兰多的会议上指出,过去两周以来DDR2报价上扬了2%,DDR3报价则上升5%。此外,NAND型快闪记忆体(NAND Flash)在传统淡季时节报价则维持稳定。 Mosesmann并表示,PC厂商预期今(2010)年每台PC的DRAM平均容量将达3.3GB,高于目前的2.8GB与2009年的2.3GB。将上述因素综合18%的PC出货量年增率之后,可以得知今年DRAM位元需求量将可望年增69%,高于市场预期的45-50%。JMP Securities分析师Alex Gauna 10日也以需求强劲为由,重申美光的投资评等为“表现优于市场”,目标价则由13.5美元上修至15美元。Gauna表示,笔记型电脑、伺服器需求持续为DRAM出货量、均价带来上升动能,而美光的零售固态硬碟(SSD)已销售一空。 MT29F16G08ABABAWP-AIT:B MT29F16G08ADACAH4-IT:C MT29F16G08ADBCAH4-IT:C MT29F16G08AJADAWP-IT:D MT29F16G08ADBCAH4:C MT29F16G08ADACAH4:C MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C MT29F16G08ABACAWP-Z:C MT29F16G08ABABAWP-IT:B MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B MT29F8G08ABABAWP-IT:B MT29F8G08ABACAH4:C MT29F8G08ABACAH4-IT:C MT29F8G08ABABAWP-ITX:B MT29F8G08ABABAWP-AITX:B MT29F8G08ABABAWP:B MT29F8G08ABACAH4-ITS:C MT29F8G08ADBDAH4:D MT29F8G08ADBDAH4-IT:D MT29F8G08ADADAH4-IT:D MT29F8G08ADADAH4-E:D MT29F8G08ABBCAH4-IT:C MT29F8G08ABACAWP-IT:C MT29F8G08ABACAWP-ITES:C MT29F8G08ABACAWP:C MT29F8G08ABACAWPES:C MT29F8G08ABBCAH4:C MT29F8G08ABBCAH4ES:C MT29F8G08ABACAH4-S:C MT29F8G08ABABAWP-AATX:B MT29F8G08ABABAWP-AITX:B MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-E:D |
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