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编辑-Z ASEMI快恢复二极管US1G参数: 型号:US1G 最大重复峰值反向电压(VRRM):400V 最大有效值电压(VRMS):280V 最大直流阻断电压(VDC):400V 最大平均正向整流电流(I(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM ):30A 最大瞬时正向电压(VF):1.3V 额定最大直流反向电流(IR):5uA 典型的反向恢复时间(trr):50nS 典型结电容(CJ):20pF 典型热阻(RθJA ):88℃/W 工作结温(TJ):-55 to +150℃ 储存温度范围(TSTG):-55 to +150℃ US1G封装尺寸: 总长度:5.28mm 本体长度:4.6mm 引脚宽度:1.6mm 宽度:2.9mm 高度:2.62mm US1G特征资料: 塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0 内置应力消除装置,非常适合自动放置 玻璃钝化芯片结 快速切换以实现高效率 高温焊接260 / 10秒
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