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编辑-Z ASEMI家的恢复二极管US系列成员有多个,那其中的US1M和US1G有什么区别呢?从型号上看US1M和US1G就只有后面的字母M和G的不同,而这两天恰恰代表的他们的反向耐压不同,他们的额定电流都是1A,封装形式也是一样的,区别就在于US1M的耐压是1000V,而US1G的耐压是400V。下面是它们的详细参数对比: US1M参数描述 型号:US1M 封装:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.7V 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):100ns 引线数量:2 US1G参数描述 型号:US1G 封装:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数:1A 400V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.3V 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):50ns 引线数量:2 以上就是ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。 ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。 |
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