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编辑-Z ASEMI快恢复二极管US1M参数: 型号:US1M 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):1.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 每个元件的典型热阻(ReJA):88℃/W 每个元件的典型结电容(Cj):15pF 工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降(VF):1.7V 最大直流反向电流(IR):5uA 最大反向恢复时间(trr):100ns US1M特征: 塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0 内置应力消除装置,非常适合自动放置 玻璃钝化芯片结 快速切换以实现高效率 高温焊接保证260/10秒 US1M机械数据: 外壳:JEDED DO-214AC模压塑料玻璃钝化芯片 端子:镀焊,可焊符合MIL-STD-750,方法2026 极性:色带表示阴极端 引线:电镀轴向引线,可根据MIL-STD-202E方法焊接 重量:0.002盎司,0.064克 |
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