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前言
由于个人博客被攻击,现逐渐将博客内容搬运至CSDN,本文原写于2020年4月。 时钟笔记 本文为stm32时钟和中断笔记 时钟树 可以通过时钟树来大致了解配置时钟的流程,可以更加清晰了解各个时钟之间的关系 名词解释 HSE:HSE 高速外部时钟信号。HSE 是高速的外部时钟信号,可以由有源晶振或者无源晶振提供,频率从 4-16MHZ不等。当使用有源晶振时,时钟从 OSC_IN 引脚进入, OSC_OUT 引脚悬空。当选用无源晶振时,时钟从 OSC_IN 和OSC_OUT 进入,并且要配谐振电容。HSE 最常使用的就是 8M 的无源晶振。当确定 PLL 时钟来源的时候, HSE 可以不分频或者 2 分频,这个由时钟配置寄存器 CFGR 的位 17:PLLXTPRE 设置。 PLL 时钟源:PLL 时钟来源可以有两个,一个来自 HSE,另外一个是 HSI/2,具体用哪个由时钟配置寄存器 CFGR 的位 16: PLLSRC 设置。 HSI 是内部高速的时钟信号,频率为 8M,根据温度和环境的情况频率会有漂移,一般不作为 PLL 的时钟来源。 PLL时钟PLLCLK:通过设置 PLL 的倍频因子,可以对 PLL 的时钟来源进行倍频,倍频因子可以是:[2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16],具体设置成多少, 由时钟配置寄存器 CFGR 的位21-18: PLLMUL[3:0]设置。 (注释:72M是st官方推荐稳定运行时钟) 系统时钟SYSCLK:从时钟树上可以看出系统时钟来源可以是: HSI、 PLLCLK、 HSE,具体的时钟配置寄存器 CFGR 的位 1-0:SW[1:0]设置。 AHB 总线时钟 HCLK:系统时钟 SYSCLK 经过 AHB 预分频器分频之后得到时钟叫 APB 总线时钟,即 HCLK,分频因子可以是:[1,2,4,8,16,64,128,256,512],具体的由时钟配置寄存器 CFGR的位 7-4 : HPRE[3:0]设置。片上大部分外设的时钟都是经过 HCLK 分频得到,至于 AHB总线上的外设的时钟设置为多少,得等到我们使用该外设的时候才设置。 APB2 总线时钟 HCLK2:APB2 总线时钟 PCLK2 由 HCLK 经过高速 APB2 预分频器得到,分频因子可以是:[1,2,4,8,16],具体由时钟配置寄存器 CFGR 的位 13-11: PPRE2[2:0]决定。 HCLK2 属于高速的总线时钟,片上高速的外设就挂载到这条总线上,比如全部的 GPIO、 USART1、SPI1 等。 APB1 总线时钟 HCLK1:APB1 总线时钟 PCLK1 由 HCLK 经过低速 APB 预分频器得到,分频因子可以是:[1,2,4,8,16],具体的由时钟配置寄存器 CFGR 的位 10-8: PRRE1[2:0]决定。HCLK1 属于低速的总线时钟,最高为36M,片上低速的外设就挂载到这条总线上,比如USART2/3/4/5、SPI2/3, I2C1/2 等。 其他时钟先概不论述。 补充知识: 从时钟频率来说,又分为高速时钟和低速时钟,高速时钟是提供给芯片主体的主时钟,而低速时钟只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用。 从芯片角度来说,时钟源分为内部时钟与外部时钟源 ,内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的,起振较快,所以时钟在芯片刚上电的时候,默认使用内部高速时钟。而外部时钟信号是由外部的晶振输入的,在精度和稳定性上都有很大优势,所以上电之后我们再通过软件配置,转而采用外部时钟信号。 stm32f103在刚开始都是很默认时钟为72M,在启动文件中startup_stm32f10x_hd.s里,规定了程序在进入到main函数之前,先要执行systeminit函数,该函数是通过操作时钟控制寄存器与时钟配置寄存器来实现初始化。详情看下图翻译说明 这里只讨论如图路线(常用路线): 配置HSE时钟步骤
启用使用HSE时钟 void HSE_SetSysClock(uint32_t pllmul) { __IO uint32_t HSEStartUpStatus = 0; // 把RCC外设初始化成复位状态,这句是必须的,该命令在固件库rcc.c文件中。 RCC_DeInit(); //使能HSE,开启外部晶振,该开发板用的是8M,命令在固件库rcc.c/277行。 RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON); // 等待 HSE 启动稳定 HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();//rcc.c/304行,成功后RCC_WaitForHSEStartUp()会传入参数SUCCESS。 // 只有 HSE 稳定之后则继续往下执行 if (HSEStartUpStatus == SUCCESS) { //----------------------------------------------------------------------// // 使能FLASH 预存取缓冲区 FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable); FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2); //----------------------------------------------------------------------// // AHB预分频因子设置为1分频,HCLK = SYSCLK RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1); //rcc.c /605 // APB2预分频因子设置为1分频,PCLK2 = HCLK RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1); // APB1预分频因子设置为1分频,PCLK1 = HCLK/2 RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2); //-----------------设置各种频率主要就是在这里设置-------------------// // 设置PLL时钟来源为HSE,设置PLL倍频因子 // PLLCLK = 8MHz * pllmul RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, pllmul); //------------------------------------------------------------------// // 开启PLL RCC_PLLCmd(ENABLE); // 等待 PLL稳定 while (RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET) { } // 当PLL稳定之后,把PLL时钟切换为系统时钟SYSCLK RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK); // 读取时钟切换状态位,确保PLLCLK被选为系统时钟 while (RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08) { } } else { // 如果HSE开启失败,那么程序就会来到这里,用户可在这里添加出错的代码处理 // 当HSE开启失败或者故障的时候,单片机会自动把HSI设置为系统时钟, // HSI是内部的高速时钟,8MHZ while (1) 问题: 为什么使能FLASH 预存取缓冲区? 使能FLASH指令缓冲器,用于当CPU主频提升后缓存多条指令已避免CPU等待FLASH传数据导致的时间浪费 “预取缓冲区(2个64位):在每一次复位以后被自动打开,由于每个缓冲区的大小(64位)与闪存的带宽相同,因此只通过需一次读闪存的操作即可更新整个缓冲区的内容。由于预取缓冲区的存在,CPU可以工作在更高的主频。CPU每次取指最多为32位的字,取一条指令时,下一条指令已经在缓冲区中等待。”具体寄存器配置参见:PM0075:STM32F10xxx Flash memory microcontrollers(Flash编程手册) 形参 pllmul? pllmul 用来设置 PLL 的倍频因子,在调用的时候形参可以是: RCC_PLLMul_x , x:[2,3,…16],这些宏来源于库函数的定义,宏展开是一些 32 位的十六进制数,具体功能是配置了时钟配置寄存器 CFGR 的位 21-18PLLMUL[3:0],预先定义好倍频因子,方便调用。 配置HSI时钟步骤 使用HSI时,设置系统时钟的步骤:开启HSI ,并等待 HSI 稳定 设置 AHB、APB2、APB1的预分频因子 设置PLL的时钟来源,和PLL的倍频因子,设置各种频率主要就是在这里设置 开启PLL,并等待PLL稳定 把PLLCK切换为系统时钟SYSCLK 读取时钟切换状态位,确保PLLCLK被选为系统时钟 (注释:HSI作为时钟来源,经过PLL倍频作为系统时钟,这是在HSE故障的时候才使用的方法,HSI会因为温度等原因会有漂移,不稳定,一般不会用HSI作为时钟来源,除非是迫不得已的情况。) "代码" void HSI_SetSysClock(uint32_t pllmul) { __IO uint32_t HSIStartUpStatus = 0; // 把RCC外设初始化成复位状态,这句是必须的 RCC_DeInit(); //使能HSI RCC_HSICmd(ENABLE); // 等待 HSI 就绪 HSIStartUpStatus = RCC->CR & RCC_CR_HSIRDY; // 只有 HSI就绪之后则继续往下执行 if (HSIStartUpStatus == RCC_CR_HSIRDY) { //----------------------------------------------------------------------// // 使能FLASH 预存取缓冲区 FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable); // SYSCLK周期与闪存访问时间的比例设置,这里统一设置成2 // 设置成2的时候,SYSCLK低于48M也可以工作,如果设置成0或者1的时候, // 如果配置的SYSCLK超出了范围的话,则会进入硬件错误,程序就死了 // 0:0 < SYSCLK <= 24M // 1:24< SYSCLK <= 48M // 2:48< SYSCLK <= 72M FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2); //----------------------------------------------------------------------// // AHB预分频因子设置为1分频,HCLK = SYSCLK RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1); // APB2预分频因子设置为1分频,PCLK2 = HCLK RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1); // APB1预分频因子设置为1分频,PCLK1 = HCLK/2 RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2); //-----------------设置各种频率主要就是在这里设置-------------------// // 设置PLL时钟来源为HSE,设置PLL倍频因子 // PLLCLK = 4MHz * pllmul RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSI_Div2, pllmul); //------------------------------------------------------------------// // 开启PLL RCC_PLLCmd(ENABLE); // 等待 PLL稳定 while (RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET) { } // 当PLL稳定之后,把PLL时钟切换为系统时钟SYSCLK RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK); // 读取时钟切换状态位,确保PLLCLK被选为系统时钟 while (RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08) { } } else { // 如果HSI开启失败,那么程序就会来到这里,用户可在这里添加出错的代码处理 // 当HSE开启失败或者故障的时候,单片机会自动把HSI设置为系统时钟, // HSI是内部的高速时钟,8MHZ while (1) { } } } |
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