[问答]

嵌入式Flash扇区擦除有哪些步骤

1947 STM32 嵌入式

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 FLASH存储器是什么？嵌入式Flash的特性有哪些？嵌入式Flash扇区擦除有哪些步骤？ 0
2021-9-24 14:40:28　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 lining870815844 该类别下有 32 个回答。邀请回答 h1654155275.6678 该类别下有 32 个回答。邀请回答举报刘芳相关推荐 • 如何对嵌入式flash进行测试 1150 • STM32F401xD中的嵌入式闪存扇区问题求解 173 • Cheap_Flash_FS--嵌入式NandFlash文件系统源码下载 3379 • Cheap_Flash--嵌入式NandFlash驱动文件系统源代码下载 3393 • 嵌入式Flash有哪些主要特性 868 • 嵌入式系统中的线性Flash文件系统设计，不看肯定后悔 647 • 嵌入式学习步骤的三个阶段 1943 • STM32F407的FLASH为什么只能按扇区擦除 3356 • 嵌入式学习步骤及方法 2175 • 嵌入式Flash管理有什么特点？ 2395 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　1：Flash简介　　FLASH存储器是闪速存储器，它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。　　2：嵌入式Flash特性　　对于 STM32F40x 和 STM32F41x，容量高达 1 MB；对于 STM32F42x 和 STM32F43x，容量高达 2 MB 　　128 位宽数据读取　　字节、半字、字和双字数据写入　　扇区擦除与全部擦除　　低功耗模式　　STM32F40x和STM32F41x Flash 模块构成　　　　可以看到　　主存储器　　该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为12个扇区，前4个扇区为16KB大小，然后扇区4是64KB大小，扇区5~11是128K大小，从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X0800 0000，B0、B1都接GND的时候，就是从0X0800 0000开始运行代码　　2.系统存储器　　这个主要用来存放STM32F4的bootloader代码，此代码是出厂的时候就固化在STM32F4里面了，专门来给主存储器下载代码的。当B0接3.3V，B1接GND的时候，从该存储器启动（即进入串口下载模式）。　　3.OTP区域　　即一次性可编程区域，共528字节，被分成两个部分，前面512字节（32字节为1块，分成16块），可以用来存储一些用户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除！！），后面16字节，用于锁定对应块。　　4.选项字节　　用于配置读保护、BOR级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或停止模式下的复位。　　3：Flash 闪存的读取　　STM23F4的FLASH读取是很简单的。例如，我们要从地址addr，读取一个字（字节为8位，半字为16位，字为32位），可以通过如下的语句读取：　　data=（vu32）addr; 　　将addr强制转换为vu32指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了addr地址的值。类似的，将上面的vu32改为vu16，即可读取指定地址的一个半字。　　在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。　　STM32F4的闪存编程由6个32位寄存器控制，他们分别是　　FLASH访问控制寄存器（FLASH_ACR）　　FLASH秘钥寄存器（FLASH_KEYR）　　FLASH选项秘钥寄存器（FLASH_OPTKEYR）　　FLASH状态寄存器（FLASH_SR）　　FLASH控制寄存器（FLASH_CR）　　FLASH选项控制寄存器（FLASH_OPTCR）　　其中秘钥寄存器中有两个键值KEY1=0X45670123 KEY2=0XCDEF89AB 　　STM32F4 Flash标准编程的步骤如下　　检查FLASH_SR中的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作。　　将FLASH_CR寄存器中的PG位置1，激活FLASH编程。　　针对所需存储器地址（主存储器块或OTP区域内）执行数据写入操作：　　—并行位数为x8时按字节写入（PSIZE=00）　　—并行位数为x16时按半字写入（PSIZE=01）　　—并行位数为x32时按字写入（PSIZE=02）　　—并行位数为x64时按双字写入（PSIZE=03）　　等待BSY位清零，完成一次编程。　　按以上四步操作，就可以完成一次FLASH编程。不过有几点要注意：1，编程前，要确保要写入地址的FLASH已经擦除。2，要先解锁（否则不能操作FLASH_CR）。3，编程操作对OPT区域也有效，方法一模一样。　　4：闪存擦除　　FLASH编程的时候，要先判断所写地址是否被擦除了，STM32F4的闪存擦除分为两种　　扇区擦除　　整片擦除　　扇区擦除步骤　　检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁　　检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位，确保当前未执行任何FLASH操作　　在FLASH_CR寄存器中，将SER位置1，并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区（SNB）　　将FLASH_CR寄存器中的STRT位置1，触发擦除操作等待BSY位清零　　整片擦除步骤　　检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作　　将 FLASH_CR 寄存器中的 MER 位置 1（STM32F405xx/07xx 和 STM32F415xx/17xx 器件）　　将 FLASH_CR 寄存器中的 MER 和 MER1 位置 1（STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 器件）　　将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1 　　等待 BSY 位清零　　5：代码实现　　讲几个重要的函数　　CR控制寄存器位8、9置0 　　根据VCC来操作CR寄存器的位8、9 　　CR寄存器位3~7置0 　　操作CR寄存器位3~6来选择要擦除的扇区，并置位1，激活扇区擦除　　操作CR寄存器的位16来触发擦除操作　　等待操作并查询SR寄存器，查询操作的状态　　操作完成后，清除掉一些相应位　　写入函数FLASH_ProgramWord 　　CR控制寄存器位8、9置0 　　操作CR寄存器位8、9，来确定编程并行位数　　操作CR寄存器的位0，来激活编程　　把写入的数据放进扇区地址中　　等待操作并查询SR寄存器，查询操作的状态　　操作完成后，清除掉CR寄存器位0 　　至于读函数STMFLASH_ReadWord，那就很简单了。

2021-9-24 17:56:33 评论举报欧建杭