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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。
MOSFET产品图 新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的低导通电阻。 应用: ・汽车设备 电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关) 特性: ・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装 ・通过AEC-Q101认证 ・低导通电阻: RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB) RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB) ・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装 主要规格: (除非另有说明,@Ta=25°C) |
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