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1和C2在通过正向偏置二极管D1和D2串联时,会接收充电电流。一个增强型P沟道MOSFET晶体管Q1,型号为 IRF9530,其栅极接收了由于齐纳二极管D4的正向电压降因而略微为正值的反向栅极偏置电压,因此保持断开。每个电容器均充到大约为整流电压峰值的一半与D1和D2带来的正向电压降之间的差值。全波桥式整流器D5,即Graetz桥,产生了这些电压降(参考文献1)。
当放电阶段开始时,D1获得反向偏置,而电容器C2则通过稳压器IC1带来的负载放电。随后,二极管D1的阳极电压继续下降,Q1的栅极至源极电压变为负,并且晶体管导通,使C1能通过正向偏置二极管D3向负载放电。事实上,两个电容器串联充电,并且向负载并联放电,从而把IC1输入端的原始整流电压和纹波电压降低了一半。在C1放电期间,齐纳二极管D4把Q1的栅极至源极电压箝位在其最高额定值范围内,由此来保护Q1。 为了正常运行,该电路需要最低负载电流,稳压器的静态耗电电流通常够用。另外,电容器C2一直充到来自D5的峰值电压。C1和C2的值以及其余元件的额定值取决于要求的最高负载电流。电阻器R1和R2的值并不关键。请注意Q1充当开关;选择某种导通电阻很低的器件就能限制Q1的功率耗散。
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