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二极管VD1作半波整流,C1滤波后输出直流电压约84V。VMOS管VT1作为开关调整管,VT2为脉宽调制,VT5为误差放大管。VT3、VT4组成短路、限流保护。接通电源后,Vti通过R2、R1获偏置电压而导通。电流通过L、R6向负载供电,同时向C3充电。当VT1截止时,电感L的磁能转变为电能,其极性为左负右正,续流二极管VD2导通,电流通过二极管继续向负载供电,使负载得到平滑的直流电。若某种原因引起输出电压过高,VT5导通程度增加,VT2导通程度亦增加,导致VT1的脉宽减小,使输出电压下降,反之,使输出电压回升,最终保持输出电压稳定。当电流达到2A时,由于R6压降0.6V,使VT3导通,同时VT14、VT2也饱和导通,限制了VTI输出电流,保护了VT1。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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