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不看肯定会后悔，IGBT的结构原理及特性

2021-3-22 19:45:34 3980 IGBT驱动 IGBT

1 近几年，国内IGBT技术发展也比较快，国外厂商垄断逐渐被打破，已取得一定的突破，国内IGBT行业近几年的发展大事记：（1）2011年12月，北车西安永电成为国内第一个、世界第四个能够封装6500V以上IGBT产品的企业。（2）2013年9月，中车西安永电成功封装国内首件自主设计生产的 50A/3300V IGBT芯片；（3）2014年6月，中车株洲时代推出全球第二条、国内首条8英寸 IGBT芯片专业生产线投入使用；（4）2015年10月，中车永电/上海先进联合开发的国内首个具有完全知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验；（5）2016年5月，华润上华/华虹宏力基于6英寸和8英寸的平面型和沟槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已进入量产２　ＩＧＢＴ的工作原理ＩＧＢＴ的驱动原理与电力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一种场控器件，其开通和关断由栅射极电压u GE 决定；导通：u GE 大于开启电压U GE(th) 时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通；关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。详情见附件。。。。。。 5 IGBT的结构原理及特性.pdf 872.23 KB , 下载次数: 97
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